[发明专利]用于形成碳纳米管防护件薄膜的方法

说明书

本发明构思涉及形成用于极紫外线光刻掩模板(410)的碳纳米管防护件薄膜(102、202)的方法，所述方法包括：通过将至少一个碳纳米管薄膜(104、204a、204b)压制在第一按压表面(106、206)和第二按压表面(108、208)之间来将至少一个碳纳米管薄膜(104、204a、204b)的重叠碳纳米管(110、210)结合在一起(502)，由此形成自立式碳纳米管防护件薄膜(102、202)。本发明构思还分别涉及形成用于极紫外线光刻的防护件(400)的方法和形成用于极紫外线光刻的掩模板系统(412)的方法。

技术领域

本发明构思分别涉及形成用于极紫外线光刻掩模板(reticle)的碳纳米管防护件(pellicle)薄膜的方法、形成用于极紫外线光刻的防护件的方法和形成用于极紫外线光刻的掩模板系统的方法。

背景技术

在半导体制造中，各种光刻工艺在限定器件和电路图案的过程中广泛使用。取决于待限定特征件的尺寸，可以使用不同光学光刻工艺。通常，随着图案变得更小，会采用更短的波长。在极紫外线光刻EUVL中，常常使用约13.5nm的波长。在EUVL中，存在于光掩模或掩模板上的图案可以通过用EUV辐射照射掩模板而转移到对EUV辐射敏感的层上。EUV光通过掩模板图案调节并成像到涂敷光刻胶的晶片上。

在常规光刻中，防护件通常放置在掩模板之上以保护掩模板在处理和曝露等期间免受污染。防护件将因此保护掩模板避免不希望的颗粒以其它方式对图案转移到晶片的保真度产生负面影响。由于暴露期间防护件仍然保持在掩模板上方，因此在吸收性、耐久性和颗粒屏蔽能力等方面上对防护件有严格的要求。

然而，当谈到EUVL时，已经证明找到合适的防护件候选者有挑战性。即使对于非常薄的材料厚度，常规深紫外线(DUV)防护件也通常呈现对极紫外线的过度吸收。此外，极紫外线的高能量与扫描仪环境结合易于损坏防护件薄膜的材料。因此，已经证明识别与EUVL兼容的防护件设计是一件麻烦的事情。

发明内容

鉴于上文所述，本发明构思的总体目的是提供极紫外线光刻掩模板的防护件薄膜，使得防护件适合在EUVL中使用。可从下文中理解其它目的：

根据本发明构思的第一方面，该目标和其它目标通过用于极紫外线光刻掩模板的碳纳米管防护件薄膜的形成方法来实现，所述方法包括：通过在第一按压表面和第二按压表面之间压制至少一个碳纳米管薄膜来将该至少一个碳纳米管薄膜的重叠碳纳米管结合在一起，由此形成自立式碳纳米管防护件薄膜。

通过本发明的方法，用于极紫外线光刻掩模板的碳纳米管防护件薄膜或者更短的CNT防护件薄膜可以通过在第一按压表面和第二按压表面之间压制至少一个碳纳米管薄膜来形成。该至少一个碳纳米管薄膜因此可以压制在按压表面之间，以使得该至少一个CNT薄膜的重叠或交叉的CNT结合在一起，由此可以形成自立式CNT防护件薄膜。

根据本发明构思形成的自立式CNT防护件薄膜提供了对EUV辐射或EUV光具有低吸收的机械稳定薄膜。EUV光可以具有1nm至40nm的波长。

应注意，在本申请的上下文中，术语“CNT薄膜”可以是指CNT的任何连接设置，如由单独CNT或CNT束形成的网状物(mesh)、网(web)、网格或类似物。各CNT薄膜的单独CNT(其可以是单壁CNT或多壁CNT，MWCNT)可以对齐以形成束。该对齐的CNT束倾向于在CNT薄膜制造过程中自发形成。因此，使得重叠碳纳米管结合在一起可以包括将重叠的单独CNT或重叠的CNT束结合在一起。

CNT薄膜的CNT或CNT束可以随机排列在CNT薄膜中。然而，CNT薄膜的CNT或CNT束可以沿着主导或主要方向，或者沿着多个主要方向排列或对齐。

应注意，在本申请上下文中，术语“自立式CNT防护件薄膜”可以是指自立式或自支撑的任何CNT膜，也就是其在通过框(例如防护件框)悬挂在其边缘时能够支撑其自身重量。换言之，自立式CNT防护件薄膜能够在具有与EUV防护件中使用相关的尺寸时支撑其自身重量，而没有任何明显的下垂。