[发明专利]检测器组件

权利要求书

1.一种检测器组件，包括：

半导体检测器，所述半导体检测器具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括含有像素化阳极的像素，所述第二表面包括阴极电极；

针孔准直器，所述针孔准直器包括与所述像素对应的针孔开口的阵列，其中，所述针孔准直器布置成使所述半导体的每个像素只通过所述针孔准直器的单个针孔开口接收辐射，其中，每个针孔开口的面积比对应像素的对应辐射接收面积小；以及

处理单元，所述处理单元能够操作联接到所述半导体检测器，并配置成识别沿所述半导体检测器的长度和宽度分布的虚拟亚像素内的检测事件，其中，每个像素包括多个对应的虚拟亚像素，其中，将所述辐射的被吸收光子看作是对应的虚拟亚像素中的事件。

2.根据权利要求1所述的检测器组件，其中，所述处理单元配置成基于从与吸收特定被吸收光子的像素化阳极相邻的像素化阳极接收的非采集信号，确定所述特定被吸收光子的吸收位置。

3.根据权利要求1所述的检测器组件，其中，由所述虚拟亚像素通过对应的针孔开口限定的立体视角具有比由相同的虚拟亚像素通过平行孔准直器限定的立体视角更少的重叠，所述平行孔准直器具有与所述针孔准直器的灵敏度相等的灵敏度。

4.根据权利要求1所述的检测器组件，其中，所述处理单元配置成识别沿所述半导体检测器的厚度分布的虚拟亚像素内的检测器事件。

5.根据权利要求1所述的检测器组件，其中，所述针孔准直器包括：顶板，所述针孔开口通过所述顶板；以及多个隔片，所述多个隔片限定与所述针孔开口对应的准直器单元，其中，由所述隔片限定的单元宽度比由所述针孔开口限定的开口宽度大。

6.根据权利要求5所述的检测器组件，其中，所述单元宽度是所述开口宽度的至少3倍。

7.根据权利要求5所述的检测器组件，其中，所述顶板的厚度比所述隔片的厚度大。

8.根据权利要求5所述的检测器组件，其中，所述针孔开口成锥形，其中，所述针孔开口在邻近所述半导体检测器的第一表面上比在远离所述半导体检测器的第二相对表面上更大。

9.根据权利要求1所述的检测器组件，其中，所述处理单元配置成将被吸收光子看作是在某一距离处所述半导体检测器的厚度内的事件，所述距离对应于1比所述检测器的吸收系数。

10.根据权利要求1所述的检测器组件，其中，对于准直器空间分辨率R_C，被成像物体离所述针孔准直器的距离b，所述针孔准直器的高度h，所述虚拟亚像素的尺寸r_i，以及所述像素化阳极的尺寸和节距P，所述检测器组件的系统空间分辨率R_S为：

其中，C为或P中的较小值。

11.一种检测器组件，包括：

半导体检测器，所述半导体检测器具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括含有像素化阳极的像素，所述第二表面包括阴极电极；

准直器，所述准直器包括开口，每个开口与所述半导体检测器的单个对应像素关联；以及

处理单元，所述处理单元配置成识别沿所述半导体检测器的长度和宽度分布的虚拟亚像素内的检测事件，其中，每个像素包括多个对应的虚拟亚像素，其中，将被吸收光子看作是对应虚拟亚像素中的事件，其中，将被吸收光子看作是在某一距离处所述半导体检测器的厚度内的事件，所述距离对应于1比所述检测器的吸收系数。

12.根据权利要求11所述的检测器组件，其中，在所述半导体检测器的厚度内每个被吸收光子的吸收位置限定为在1/μ±1毫米的范围内，其中，μ为所述检测器的吸收系数。