[发明专利]金属复合涂层Logo及其制备方法与包含其的陶瓷盖板和电子设备有效
| 申请号： | 201810465058.1 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110484879B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 周群飞;饶桥兵;湛玉龙 | 申请（专利权）人： | 蓝思科技（长沙）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王闯 |
| 地址： | 410100 湖南省长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 复合 涂层 logo 及其 制备 方法 包含 陶瓷 盖板 电子设备 | ||
1.一种金属复合涂层Logo，其特征在于，包括用于与陶瓷基板接触的铬金属层和设置于所述铬金属层表面的氮氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的金属复合涂层Logo，其特征在于，所述铬金属层与所述氮氧化硅层之间设有用于增加所述铬金属层与所述氮氧化硅层结合力的过渡层。
3.根据权利要求2所述的金属复合涂层Logo，其特征在于，所述过渡层为铬金属化合物。
4.根据权利要求3所述的金属复合涂层Logo，其特征在于，所述铬金属化合物为氮化铬。
5.根据权利要求3所述的金属复合涂层Logo，其特征在于，所述过渡层的厚度为0.1-200nm。
6.根据权利要求5所述的金属复合涂层Logo，其特征在于，所述过渡层的厚度为10-200nm。
7.根据权利要求1或2所述的金属复合涂层Logo，其特征在于，所述铬金属层的厚度为30～70nm。
8.根据权利要求7所述的金属复合涂层Logo，其特征在于，所述铬金属层的厚度为35～65nm。
9.根据权利要求1或2所述的金属复合涂层Logo，其特征在于，所述氮氧化硅层的厚度为190～210nm。
10.根据权利要求9所述的金属复合涂层Logo，其特征在于，所述氮氧化硅层的厚度为195～205nm。
11.一种权利要求1-10任一项所述的金属复合涂层Logo的制备方法，其特征在于，提供陶瓷基板，在所属陶瓷基板上依次形成(a)铬金属层，(b)任选地过渡层，以及(c)氮氧化硅层，得到金属复合涂层Logo。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射方法在陶瓷基板表面制备铬金属层以及任选地过渡层，再采用磁控溅射方法在所述铬金属层或过渡层表面制备氮氧化硅层，得到所述金属复合涂层Logo。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，选用铬靶利用磁控溅射方法在陶瓷基体表面沉积铬金属层，铬金属层的磁控溅射工艺参数包括：铬靶功率5000～8000W，氩气流量80～120sccm，沉积速率0.04～0.3nm/s。
14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，选用铬靶利用磁控溅射方法在铬金属层表面沉积氮化铬过渡层，氮化铬过渡层的磁控溅射工艺参数包括：铬靶功率5000～8000W，RF功率1500～3000W，氮气流量40～80sccm，沉积速率0.1～0.4nm/s。
15.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，选用硅靶利用磁控溅射方法在铬金属层或过渡层表面沉积氮氧化硅层，氮氧化硅层的磁控溅射工艺参数包括：硅靶功率6000～8000W，RF功率1000～3000W，氩气流量0～150sccm，氮气流量30～80sccm，氧气流量30～120sccm，沉积速率0.2～0.4nm/s。
16.根据权利要求11～15任一项所述的制备方法，其特征在于，先使用保护膜或油墨在所述陶瓷基板表面形成Logo的镂空图案，再利用所述磁控溅射方法制备金属复合涂层Logo。
17.根据权利要求16所述的制备方法，其特征在于，将表面形成有镂空图案的陶瓷基板进行等离子体表面处理后再利用所述磁控溅射方法制备金属复合涂层Logo。
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