[发明专利]金属复合涂层Logo及其制备方法与包含其的陶瓷盖板和电子设备

说明书

本发明提供了一种金属复合涂层Logo及其制备方法与包含其的陶瓷盖板和电子设备，涉及陶瓷面板技术领域。该金属复合涂层Logo包括用于与陶瓷基板接触的铬金属层和设置于所述铬金属层表面的氮氧化硅层，利用该金属复合涂层Logo能够缓解现有技术中缺少一种具有可以与陶瓷基体结合的彩色Logo的技术问题，达到不同客户对Logo个性化色彩需求的技术效果。

技术领域

本发明涉及陶瓷面板技术领域，尤其是涉及一种金属复合涂层Logo及其制备方法与包含其的陶瓷盖板和电子设备。

背景技术

随着智能电子产品例如手机、电脑、电视等的普及，消费者对电子产品的外观要求已越来越高。以手机为例，目前非金属材质的手机后盖已成为多数电子产品厂商中高端机型所追求的设计方向之一，未来几年，智能手机后盖将逐步由金属材质变为以陶瓷、玻璃、宝石为主要代表的非金属材质。

由于陶瓷属于不透明材质，不像玻璃能在产品背面丝印不同颜色logo，再通过正面显示不同颜色来达到客户对logo的个性化需求，因而造成目前的陶瓷盖板上的Logo多数为单一的黑色或白色等金属图案，并没有个性化的彩色图案的Logo。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种金属复合涂层Logo，以缓解现有技术中缺少一种具有可以与陶瓷基体结合的彩色Logo的技术问题。

本发明的第二目的在于提供一种金属复合涂层Logo的制备方法，利用该方法可以在陶瓷基板表面制备得到一种正面观察时为银色且侧面观察时为黄色系颜色的Logo。

本发明的第三目的在于提供一种陶瓷盖板，本发明的第四目的在于提供一种电子设备，以满足不同客户对Logo个性化的要求。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

一种金属复合涂层Logo，包括用于与陶瓷基板接触的铬金属层和设置于所述铬金属层表面的氮氧化硅层。

进一步的，所述铬金属层与所述氮氧化硅层之间设有用于增加所述铬金属层与所述氮氧化硅层结合力的过渡层；

优选地，所述过渡层为铬金属化合物；

优选地，所述铬金属化合物为氮化铬；

优选地，所述过渡层的厚度为0.1-200nm，优选为10-200nm。

进一步的，所述铬金属层的厚度为30～70nm，优选为35～65nm。

进一步的，氮氧化硅层的厚度为190～210nm，优选为195～205nm。

一种上述金属复合涂层Logo的制备方法，提供陶瓷基板，在所属陶瓷基板上依次形成(a)铬金属层，(b)任选地过渡层，以及(c)氮氧化硅层，得到金属复合涂层Logo。

进一步的，采用磁控溅射方法在陶瓷基板表面制备铬金属层以及任选地过渡层，再采用磁控溅射方法在所述铬金属层或过渡层表面制备氮氧化硅层，得到所述金属复合涂层Logo。

进一步的，选用铬靶利用磁控溅射方法在陶瓷基体表面沉积铬金属层，铬金属层的磁控溅射工艺参数包括：铬靶功率5000～8000W，氩气流量80～120sccm，沉积速率0.04～0.3nm/s；

优选地，选用铬靶利用磁控溅射方法在铬金属层表面沉积氮化铬过渡层，氮化铬过渡层的磁控溅射工艺参数包括：铬靶功率5000～8000W，RF功率1500～3000W，氮气流量40～80sccm，沉积速率0.1～0.4nm/s；