[发明专利]利用双氧水溶液剥离钛和氮化钛膜的方法在审

专利信息
申请号: 201810469102.6 申请日: 2018-05-16
公开(公告)号: CN108707899A 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 熊志红;张远 申请(专利权)人: 深圳仕上电子科技有限公司
主分类号: C23F1/14 分类号: C23F1/14;C23G1/24
代理公司: 深圳市汉唐知识产权代理有限公司 44399 代理人: 刘海军
地址: 518000 广东省深圳市宝安区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 双氧水溶液 浸泡 氮化钛膜 漂洗 中和反应 氟酸 流动 剥离 纯水浸泡 干燥处理 工件表面 浸泡清洗 超纯水 干燥炉 氢氟酸 无残留 硝酸 目测 配比 治具 钛膜 冲洗
【说明书】:

发明公开一种利用双氧水溶液剥离钛和氮化钛膜的方法,该方法包括下述步骤:1、双氧水溶液浸泡:采用双氧水溶液对工件进行浸泡处理,双氧水溶液为H2O2:H2O=35:65,浸泡温度为50℃,反应时间为3‑5小时,直至目测工件表面无残留钛膜或氮化钛膜位置;2、漂洗:采用流动的水进行漂洗,漂洗时间大于或等于30秒;3、中和反应:采用硝氟酸进行中和反应,硝氟酸采用硝酸和氢氟酸配比而成,HNO3:HF=20:1,反应为在常温温度下进行浸泡反应,反应时间为10‑30S;4、纯水浸泡:采用流动的水进行浸泡冲洗30分钟以上,浸泡时应保持超纯水的流动;5、干燥:将浸泡清洗后的工件放在干燥炉的治具上进行干燥处理。

技术领域

本发明公开一种覆膜剥离方法,特别是一种利用双氧水溶液剥离钛和氮化钛膜的方法。

背景技术

随着半导体和液晶显示面板产业的不断发展,我国的半导体产业和液晶面板产业得到了很大提升,行业产能也越来越高。半导体和液晶显示面板等产业属于精细化产业,其对生产设备要求非常高,因此就要求设备的零部件需要进行定期维护,以保证生产精度。

钛膜和氮化钛膜的化学稳定性好,熔点高达3000℃,硬度高、红硬性好,并兼有良好的韧性、耐磨性好等优点,因此,半导体和液晶显示面板等加工设备中的很多零部件表面都附着一层钛膜或氮化钛膜,以保持其性能。然而,在此种零部件维修维护时,需要对原有附着的钛膜或氮化钛膜进行去除,才能进行新的钛膜或氮化钛膜的操作,而现有技术中,去除工件表面附着的钛膜或氮化钛膜通常有化学溶液溶泡或采用机械剥离的方式去除等,去除效果不好,而且容易损伤工件本身。

发明内容

针对上述提到的现有技术中的工件表面的钛膜或氮化钛膜去除时效果不好的缺点,本发明提供一种利用双氧水溶液剥离钛和氮化钛膜的方法,其利用双氧水进行化学反应的方法去除工件表面附着的钛或氮化钛,效果较好。

本发明解决其技术问题采用的技术方案是:一种利用双氧水溶液剥离钛和氮化钛膜的方法,该方法包括下述步骤:

(1)、双氧水溶液浸泡:采用双氧水溶液对工件进行浸泡处理,双氧水溶液为H2O2:H2O=(32~38):(62~68),浸泡温度为45℃~55℃,反应时间为3-5小时,直至目测工件表面无残留钛膜或氮化钛膜位置;

(2)、漂洗:采用流动的水进行漂洗,漂洗时间大于或等于30秒;

(3)、中和反应:采用硝氟酸进行中和反应,硝氟酸采用硝酸和氢氟酸配比而成,HNO3:HF:H2O=(17~23):(0.5~1.5):(17~23),反应为在常温温度下进行浸泡反应,反应时间为10-30S;

(4)、纯水浸泡:采用流动的水进行浸泡冲洗30分钟以上,浸泡时应保持超纯水的流动;

(5)、干燥:将浸泡清洗后的工件放在干燥炉的治具上进行干燥处理。

本发明解决其技术问题采用的技术方案进一步还包括:

所述的步骤(1)中采用的双氧水溶液为H2O2:H2O=35:65。

所述的步骤(1)中采用的水为电阻率大于或等于12MΩ.CM的超纯水。

所述的步骤(1)中采用的双氧水为浓度30-32%的双氧水。

所述的步骤(2)中采用的水为电阻率大于或等于12MΩ.CM的超纯水。

所述的步骤(3)中采用的HNO3:HF:H2O=20:1:20。

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