[发明专利]用于制造清洗液的设备和方法

说明书

公开了用于制造清洗液的设备和方法。所述方法包括在第一温度下将表面活性剂化学品和纯水混合，以及在第一温度下将表面活性剂化学品和纯水混合之后，将表面活性剂化学品和纯水混合的同时将表面活性剂化学品和纯水冷却到低于第一温度的第二温度。

技术领域

本文描述的发明构思的实施方式涉及用于制造清洗液的设备和方法。

背景技术

基板表面上的污染物(例如颗粒、有机污染物和金属污染物)极大地影响半导体装置的特性和成品率。由此，去除附着于基板表面的各种污染物的清洗工艺非常重要，并且在用于制造半导体的单元工艺之前和之后进行清洗基板的工艺。通常，清洗基板的工艺包括通过使用诸如清洗液的处理液将残留在基板上的金属物质、有机物和颗粒去除的清洗液处理工艺，通过使用纯水将残留在基板上的清洗液去除的冲洗工艺，以及通过使用有机溶剂、超临界流体或氮气使基板干燥的干燥工艺。

用于上述清洗液处理工艺中的清洗液通过混合含有表面活性剂的表面活性剂化学品和纯水来制造。当通过混合表面活性剂化学品和纯水来制造清洗液时，在清洗液中形成颗粒。生成的颗粒可以在清洗基板时使得容易去除颗粒。通常，将表面活性剂化学品和纯水在室温下混合。

发明内容

本发明构思的实施方式提供了用于制造清洗液的设备和方法，通过该设备和方法可以增加清洗液中的颗粒尺寸。

本发明构思进一步提供了用于制造清洗液的设备和方法，通过该设备和方法可以缩短用于制造清洗液的时间。

本发明构思要解决的问题不限于上述问题，并且本发明构思所属领域的普通技术人员将从说明书和附图中清楚地理解未提到的问题。

本发明构思提供了一种用于制造清洗基板的清洗液的方法。该方法包括在第一温度下将表面活性剂化学品和纯水混合，以及在第一温度下将表面活性剂化学品和纯水混合之后，将表面活性剂化学品和纯水混合的同时将表面活性剂化学品和纯水冷却到低于第一温度的第二温度。

第一温度可以高于室温，并且第二温度可以低于室温。

第一温度可以低于30℃。

第一温度可以高于25℃且低于27℃，并且第二温度可以高于17℃且低于19℃。

可以将第一温度维持长于25分钟且短于35分钟的时间段。

在清洗液中形成的颗粒的长度可以不小于30μm。

本发明构思提供了一种用于制造清洗液的设备。该设备包括：壳体，在其内部具有液体混合空间；第一供应构件，其被配置成将表面活性剂化学品供应到壳体中；第二供应构件，其被配置成将纯水供应到壳体中；混合单元，其被配置成将供应到壳体中的表面活性剂化学品和纯水混合；温度调节构件，其被配置成调节供应到壳体中的表面活性剂化学品和纯水的温度；以及控制器，其被配置成控制第一供应构件、第二供应构件、混合单元和温度调节构件，并且控制器控制第一供应构件、第二供应构件、混合单元和温度调节构件以执行将供应到液体混合空间中的表面活性剂化学品和纯水在第一温度下混合的第一操作，和将在第一操作中混合的表面活性剂化学品和纯水冷却到低于第一温度的第二温度的第二操作。

第一温度可以高于室温，并且第二温度可以低于室温。

第一温度可以高于25℃且低于27℃，并且第二温度可以高于17℃且低于19℃。

控制器可以控制温度调节构件，使得将第一温度维持长于25分钟且短于35分钟的时间段。

第一操作可以包括将纯水供应到液体混合空间中的纯水供应操作；在纯水供应操作之后将供应到液体混合空间中的纯水加热到第一温度的纯水加热操作；在纯水加热操作之后将表面活性剂化学品供应到液体混合空间中的表面活性剂化学品供应操作；以及在表面活性剂化学品供应操作之后将供应到液体混合空间中的表面活性剂化学品和纯水混合同时将表面活性剂化学品和纯水保持在第一温度的混合操作。