[发明专利]成像装置和电子设备有效
申请号: | 201810472907.6 | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN108550597B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 桝田佳明;渡边一史;水田恭平;井上启司;内田博久 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 装置 电子设备 | ||
本技术涉及一种可以减少有机材料不均匀涂布的固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备。所述固态成像装置包括:基板中的有效像素区域,有效像素配置在所述有效像素区域中;所述有效像素区域周围的配线区域,电极或配线设置在所述配线区域中;所述配线区域外侧的周边区域;和在所述基板上形成的膜。所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度,并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。本技术可以适用于例如背面照射型CMOS图像传感器。
本申请是申请日为2014年3月12日、发明名称为“固态成像装置、其制造方法和电子设备”的申请号为201480012222.3专利申请的分案申请。
技术领域
本技术涉及固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备。更具体地,本技术涉及一种可以减少有机材料不均匀涂布的固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备。
背景技术
近年来,已经提出了具有三维结构的背面照射型固态成像装置,其中在其上形成有驱动电路的电路基板从其上形成有包括光电转换单元的像素的半导体基板的光接收面贴附到相对面上(参见,例如,专利文献1)。这种具有三维结构的固态成像装置包括用于将半导体基板和电路基板电气连接在一起的连接电极。
图1是示出常规的具有三维结构的背面照射型固态成像装置的构成例的断面图。
在图1中,电路基板11和半导体基板12贴合在一起,并且通过连接电极13电气连接在一起。此外,绝缘膜14形成在半导体基板12的光接收面侧(图1中的上侧)。
在图1所示的固态成像装置中,绝缘膜14形成为使得设置有多个像素的像素区域的横截面的高度(以下,称作“截面高度”)和作为设置有连接电极13的配线区域的外侧的周边区域的横截面的高度低于配线区域的横截面的高度。这样,通过减小像素区域的轮廓,感度特性或混色特性可以得到改善。此外,通过减小周边区域的轮廓,在周边区域中的电路配线或对准标记的配置方面的约束可以缓和,并且在基板上的应力可以减小。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:JP 2011-96851A
发明内容
技术问题
然而,当将诸如滤色片(CF)材料等有机材料涂布到图1所示的固态成像装置时,由于周边区域和配线区之间的高度差或者配线区域和像素区域之间的高度差,可能会发生有机材料的不均匀涂布。
有鉴于这种情况,完成了本技术,以减少有机材料的不均匀涂布。
问题的解决方案
根据本技术的第一方面,提供了一种固态成像装置,包括:基板中的有效像素区域,有效像素配置在所述有效像素区域中;所述有效像素区域周围的配线区域,电极或配线设置在所述配线区域中;所述配线区域外侧的周边区域;和在所述基板上形成的膜。所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度,并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。
所述膜在所述中间区域中的台阶部可以比所述中间区域的宽度的中心更靠近所述有效像素区域。
所述膜在所述中间区域中的台阶部可以比所述中间区域的宽度的中心更靠近所述配线区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的