[发明专利]一种抗衰老的干细胞培养基及间充质干细胞培养方法在审

专利信息
申请号: 201810473489.2 申请日: 2018-05-17
公开(公告)号: CN108611320A 公开(公告)日: 2018-10-02
发明(设计)人: 廖立;帅逸;赵宇;邓志宏 申请(专利权)人: 广东芙金干细胞再生医学有限公司
主分类号: C12N5/0775 分类号: C12N5/0775
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 干细胞培养基 抗衰老 间充质干细胞 谷氨酰胺 胎牛血清 体外传代 维生素C 青霉素 链霉素 低糖 扩增 衰老 延缓
【权利要求书】:

1.一种抗衰老的干细胞培养基,其特征在于,包括:

低糖α-MEM培养基、胎牛血清、miR-705 antagomir、维生素C、谷氨酰胺、青霉素和链霉素。

2.根据权利要求1所述的抗衰老的干细胞培养基,其特征在于,所述培养基按1升计,包括:

所述低糖α-MEM培养基 880毫升ml、所述胎牛血清100ml、所述miR-705 antagomir 10微克μg、所述维生素C 10毫克mg、所述谷氨酰胺 2毫摩尔mmol、所述青霉素 10ml和所述链霉素10ml。

3.根据权利要求1或2所述的抗衰老的干细胞培养基,其特征在于,所述培养基还包括:两性霉素。

4.一种间充质干细胞培养方法,应用如权利要求1-3中任意一项所述的抗衰老的干细胞培养基,其特征在于,包括:

步骤一、间充质干细胞分离:获取骨髓,并加入等体积的磷酸盐缓冲液稀释所述骨髓,加入单核细胞分离液,收集单核细胞;

步骤二、间充质干细胞的原代培养:将所述单核细胞重悬于基础培养基中培养;

步骤三、间充质干细胞的前期传代培养:待所述单核细胞增殖至75%-80%密度时,吸尽所述基础培养基中的培养基,传代,继续用所述基础培养基培养;

步骤四、间充质干细胞的后期传代培养:待所述单核细胞培养至第五代之后,用所述抗衰老的干细胞培养基继续培养。

5.根据权利要求4所述的间充质干细胞培养方法,其特征在于,所述步骤一,具体包括:

经髂骨髂脊穿刺抽取骨髓5ml,肝素抗凝;加入等体积的磷酸盐缓冲液稀释所述骨髓,以1:2比例加入单核细胞分离液上层,1500转/分离心20min,吸取单核细胞层细胞;PBS重悬后离心,收集单核细胞。

6.根据权利要求4所述的间充质干细胞培养方法,其特征在于,所述步骤二,具体包括:

将所述单核细胞重悬于基础培养基中,置于37℃,5% CO2孵箱培养24hr;PBS清洗3次去除未贴壁细胞;剩余贴壁的单核细胞继续培养,每3天换液。

7.根据权利要求4所述的间充质干细胞培养方法,其特征在于,所述步骤三,具体包括:

待所述单核细胞增殖至75%-80%密度时,吸尽所述基础培养基中的培养基,使用0.5%胰酶消化后,以1:3比例传代,继续用所述基础培养基培养。

8.根据权利要求4所述的间充质干细胞培养方法,其特征在于,所述步骤四,具体包括:

待所述单核细胞培养至第五代之后,用所述抗衰老的干细胞培养基继续培养,每3天换液。

9.根据权利要求4-8中任意一项所述的间充质干细胞培养方法,其特征在于,所述方法还包括:

所述基础培养基的制备:将胎牛血清100ml,青霉素10ml、链霉素10ml依次加入880mlα-MEM培养基中,混匀后置于4℃保存。

10.根据权利要求9所述的间充质干细胞培养方法,其特征在于,所述方法还包括:

所述抗衰老的干细胞培养基的制备:在1L所述基础培养基中加入10μg miR-705antagomir、10mg维生素C和2mmol谷氨酰胺,混匀后置于4℃保存。

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