[发明专利]静电吸盘

权利要求书

1.一种静电吸盘，其特征为，

具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面、从所述第2主面设置到所述第1主面的穿通孔；

金属制基座板，支撑所述陶瓷电介体基板且具有与所述穿通孔连通的气体导入路；

及绝缘体塞子，具有设置于所述气体导入路的陶瓷多孔体、设置在所述陶瓷多孔体与所述气体导入路之间的比所述陶瓷多孔体更致密的陶瓷绝缘膜，

所述陶瓷绝缘膜从所述陶瓷多孔体的表面进入所述陶瓷多孔体的内部，且所述陶瓷绝缘膜和所述陶瓷多孔体之间的边界部呈现交织有所述陶瓷绝缘膜和所述陶瓷多孔体的波状。

2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述陶瓷绝缘膜的热膨胀率分别与所述陶瓷多孔体的热膨胀率及所述陶瓷电介体基板的热膨胀率相同。

3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述陶瓷绝缘膜的表面的算术平均粗糙度小于所述陶瓷多孔体的表面的算术平均粗糙度，且大于所述陶瓷电介体基板的表面的算术平均粗糙度。

4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，

所述陶瓷绝缘膜的气孔率为10％以下，

所述陶瓷多孔体的气孔率为30％以上、60％以下。

5.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，

所述陶瓷绝缘膜的密度为3.0克/立方厘米以上、4.0克/立方厘米以下，

所述陶瓷多孔体的密度为1.5克/立方厘米以上、3.0克/立方厘米以下。

6.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，在将所述陶瓷多孔体的热膨胀率作为基准时，所述陶瓷多孔体的热膨胀率与所述陶瓷绝缘膜的热膨胀率之差的比率为100％以下。

7.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述陶瓷多孔体及所述陶瓷绝缘膜各自的热膨胀率为7.0×10^-6/℃以上、10.0×10^-6/℃以下。

8.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述陶瓷多孔体及所述陶瓷绝缘膜各自的热传导率为0.3W/m·K以上、10W/m·K以下。

9.根据权利要求3所述的静电吸盘，其特征为，

所述陶瓷绝缘膜的表面的所述算术平均粗糙度为0.5微米以上、4微米以下，

所述陶瓷多孔体的表面的所述算术平均粗糙度为5微米以上、20微米以下。

10.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述陶瓷绝缘膜是设置于所述陶瓷多孔体侧面的陶瓷喷镀膜。

11.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述陶瓷多孔体的相对于外径的长度的比率为0.6以上。

12.根据权利要求11所述的静电吸盘，其特征为，所述陶瓷多孔体的外径为1毫米以上。

13.根据权利要求11所述的静电吸盘，其特征为，所述陶瓷多孔体的长度为3毫米以上。

14.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，在将所述穿通孔的内径作为D、将从所述穿通孔的中心到所述陶瓷多孔体的外周为止的距离作为L时，L/D为5以上。

15.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，在将He气体的压力差作为30Torr时，从每1个所述穿通孔流出的He气体的流量为0.5sccm以上、14sccm以下。

16.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，在将He气体的压力差作为30Torr时，从每1个所述陶瓷多孔体流出的He气体的流量为3sccm以上、24sccm以下。