[发明专利]静电吸盘

说明书

本发明所涉及的静电吸盘的特征为，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、第1主面相反侧的第2主面、从第2主面设置到第1主面的穿通孔；金属制基座板，支撑陶瓷电介体基板且具有与穿通孔连通的气体导入路；及绝缘体塞子，具有设置于气体导入路的陶瓷多孔体、设置在陶瓷多孔体与气体导入路之间的比陶瓷多孔体更致密的陶瓷绝缘膜，陶瓷绝缘膜从陶瓷多孔体的表面进入陶瓷多孔体的内部。对于气体导入路内的放电可得到高的绝缘强度，或者，对于吸附对象物可进行晶片温度均一性高的温度控制。

本申请是国际申请日为2014年03月27日、发明名称为“静电吸盘”的、中国国家申请号为“201480017501.9”号的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的形态涉及一种静电吸盘，涉及一种能够提高陶瓷电介体基板的绝缘强度的静电吸盘。

背景技术

在氧化铝等的陶瓷电介体基板之间夹住电极并进行烧成而制作的陶瓷制的静电吸盘是在内置的电极上外加静电吸附用电力，并通过静电力来吸附硅晶片等的基板。在这样的静电吸盘中，在陶瓷电介体基板的表面与吸附对象物即基板的背面之间流入氦(He)等惰性气体，对吸附对象物即基板的温度进行控制。

例如，在化学汽相沉积(CVD(Chemical Vapor Deposition))装置、溅射(sputtering)装置、离子注入装置、蚀刻(etching)装置等对基板进行处理的装置中，存在处理中会带来基板的温度上升的装置。在用于这样的装置的静电吸盘中，在陶瓷电介体基板与吸附对象物即基板之间流入He等惰性气体，通过使惰性气体接触基板来抑制基板的温度上升。

在通过He等惰性气体来对基板温度进行控制的静电吸盘中，将用于导入He等惰性气体的孔(气体导入路)设置于陶瓷电介体基板及支撑陶瓷电介体基板的基座板。

在此，在装置内对基板进行处理时，在气体导入路内有时会发生放电。在专利文献1中公开有如下静电吸盘，通过在气体导入路内设置陶瓷烧结多孔体，将陶瓷烧结多孔体的构造及膜孔作为气体流路，从而提高在气体导入路内的绝缘性。另外，在专利文献2中公开有如下静电吸盘，在气体扩散用空隙内设置有由陶瓷多孔体所构成且用于防止放电的处理气体流路用的放电防止构件。另外，在专利文献3中公开有如下静电吸盘，作为像氧化铝这样的多孔质电介体而设置电介体插入物，从而减少电弧放电。

但是，仅仅是在气体导入路内设置陶瓷多孔体，则无法得到充分的绝缘强度。要想提供对应于处理装置中的各种条件的静电吸盘，则需要进一步提高绝缘强度。

另外，由于多孔体的气孔率较高，因此从陶瓷多孔体到陶瓷电介体基板的热传递率低于从金属制基座板到陶瓷电介体基板的热传导率。因而，从气体导入路流入传导气体来冷却基板时的基板温度与不流入时的基板温度的温度差容易变大。即，产生如下问题，在基板的整体上，在靠近陶瓷多孔体的部分产生晶片面内温度差较大的区域(所谓热点或冷点)，无法进行晶片温度均一性高的温度控制。

专利文献1：日本国特开2010-123712号公报

专利文献2：日本国特开2003-338492号公报

专利文献3：日本国特开平10-50813号公报

发明内容

本发明是基于这样的问题的认知而进行的，所要解决的技术问题是提供一种静电吸盘，其对于气体导入路内的放电，能够得到高的绝缘强度，或者，即使是在气体导入路内设置有陶瓷多孔体的构造，对于吸附对象物也能够进行晶片温度均一性高的温度控制。