[发明专利]包括离子注入遮挡结构的晶圆支撑组件及半导体处理设备

权利要求书

1.一种晶圆支撑组件，包括：

晶圆卡盘，其包括第一表面和第二表面，所述第一表面具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在所述晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对；以及

边缘遮挡结构，其覆盖所述第一表面的所述边缘区域的至少一部分，所述边缘遮挡结构具有遮挡主体，所述遮挡主体具有面向所述中央区域的倾斜侧表面。

2.根据权利要求1所述的晶圆支撑组件，其中，所述遮挡主体包括下部区域和设置在所述下部区域上的上部区域，并且所述上部区域具有小于所述下部区域的宽度的宽度。

3.根据权利要求2所述的晶圆支撑组件，其中，所述下部区域具有面向所述晶圆卡盘的所述中央区域的下部内表面，并且所述上部区域包括包含上部内表面的所述倾斜侧表面，所述上部内表面具有不同于所述下部内表面的斜率的斜率。

4.根据权利要求3所述的晶圆支撑组件，其中，所述下部内表面垂直于所述下部区域的下表面，并且所述上部内表面与所述上部区域的最上表面形成钝角，以形成所述倾斜侧表面。

5.根据权利要求4所述的晶圆支撑组件，其中，所述钝角大于或等于135°并且小于180°。

6.根据权利要求1所述的晶圆支撑组件，其中，所述边缘遮挡结构还包括连接器，所述连接器连接到所述遮挡主体并耦接到所述晶圆卡盘的所述第二表面。

7.根据权利要求6所述的晶圆支撑组件，其中，所述遮挡主体被分成多个遮挡主体，并且所述连接器包括连接到所述遮挡主体的连接支撑部分和耦接到所述晶圆卡盘的所述第二表面的驱动马达，所述驱动马达被构造为移动所述连接支撑部分朝向/远离所述中央区域，所述遮挡主体能够与所述连接支撑部分一起移动。

8.根据权利要求1所述的晶圆支撑组件，其中，所述晶圆卡盘具有从所述第一表面向所述第二表面变窄的宽度。

9.根据权利要求1所述的晶圆支撑组件，其中，所述晶圆卡盘是在其中包括加热构件和气体通道的静电卡盘。

10.一种晶圆支撑组件，包括：

晶圆卡盘，其包括第一表面和第二表面，所述第一表面具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在所述晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对，其中，所述第二表面具有小于所述第一表面的宽度的宽度；以及

边缘遮挡结构，其具有与所述边缘区域重叠的遮挡主体。

11.根据权利要求10所述的晶圆支撑组件，其中，所述边缘遮挡结构还包括连接到所述遮挡主体的连接器，所述连接器延伸到所述晶圆卡盘的所述第二表面并且耦接到所述第二表面。

12.根据权利要求11所述的晶圆支撑组件，其中，所述连接器连接到所述遮挡主体的上表面和侧表面。

13.根据权利要求11所述的晶圆支撑组件，其中，所述遮挡主体包括下部区域和设置在所述下部区域上的上部区域，所述下部区域具有面向所述中央区域的下部内表面，所述下部内表面垂直于所述下部区域的最低表面，并且所述上部区域具有相对于所述上部区域的最上表面形成钝角的上部内表面。

14.根据权利要求13所述的晶圆支撑组件，其中，所述下部区域包括从所述下部区域的与所述上部区域重叠的部分以预定厚度在朝向所述中央区域的方向上延伸的区域。

15.根据权利要求13所述的晶圆支撑组件，其中，所述上部内表面朝向所述中央区域倾斜。