[发明专利]包括离子注入遮挡结构的晶圆支撑组件及半导体处理设备

说明书

本申请公开了一种晶圆支撑组件和半导体处理设备。该晶圆支撑组件可以包括晶圆卡盘，所述晶圆卡盘包括第一表面和第二表面，其中，所述第一表面可以具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对。边缘遮挡结构可以覆盖所述第一表面的所述边缘区域的至少一部分，其中，所述边缘遮挡结构可以具有遮挡主体，其具有面向所述中央区域的具有倾斜侧表面。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年8月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0100457的优先权，其全部公开内容通过引用方式并入本文。

技术领域

本发明构思一般来说涉及半导体处理设备，更具体地说，涉及离子注入半导体制造处理设备。

背景技术

为了制造半导体器件，可以将离子注入到晶圆中以改变晶圆内的半导体区域的物理性质。离子注入工艺可以包括产生离子束并将其加速以撞击到晶圆上。在执行离子注入工艺的同时，可以将晶圆固定至诸如静电卡盘的晶圆卡盘。在离子注入工艺中使用的常规晶圆卡盘可能难以均匀地加热具有增大的直径的晶圆。

发明内容

根据本发明构思的实施例可以提供包括离子注入遮挡结构的晶圆支撑组件。根据这些实施例，一种晶圆支撑组件可以包括：晶圆卡盘，其包括第一表面和第二表面，其中所述第一表面可以具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在所述晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对。边缘遮挡结构可以覆盖所述第一表面的所述边缘区域的至少一部分，其中所述边缘遮挡结构可以具有遮挡主体，其中所述遮挡主体具有面向所述中央区域的倾斜侧表面。

在一些实施例中，一种晶圆支撑组件可以包括晶圆卡盘，所述晶圆卡盘可以包括第一表面和第二表面，其中所述第一表面可以具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在所述晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对，其中，所述第二表面具有小于所述第一表面的宽度的宽度。边缘遮挡结构可以具有与所述边缘区域重叠的遮挡主体。

在一些实施例中，一种半导体处理设备可以包括处理室和设置在所述处理室内的晶圆支撑组件。所述晶圆支撑组件可以包括：支撑主体；卡盘支撑件，其连接到所述支撑主体，所述卡盘支撑件具有旋转轴；以及晶圆卡盘，其包括第一表面和第二表面，所述第一表面具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在所述晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘。所述第二表面可以与所述第一表面相对，并且所述第二表面可以耦接到所述卡盘支撑件。边缘遮挡结构可以包括覆盖所述第一表面的所述边缘区域的至少一部分的遮挡主体。

附图说明

当结合附图来理解时，根据以下的详细描述，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他的方面、特征和优点，在附图中：

图1示出了根据示例实施例的离子注入设备的示图；

图2A、图2B和图2C是示出了根据示例实施例的离子注入设备内的晶圆支撑组件的纵向截面图；

图3A是示出了根据示例实施例的离子注入设备内的晶圆支撑组件的晶圆卡盘的平面图；

图3B是示出了根据示例实施例的离子注入设备内的晶圆支撑组件的边缘遮挡结构的平面图；

图4是图2B的部分A的放大图；

图5A是图4的部分B的放大图；