[发明专利]一种功率半导体模块功率端子有效
| 申请号： | 201810482718.7 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108418063B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 安冰翀 | 申请（专利权）人： | 臻驱科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01R25/16 | 分类号： | H01R25/16;H01R25/00 |
| 代理公司： | 上海雍灏知识产权代理事务所(普通合伙) 31368 | 代理人： | 沈汶波 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 模块 端子 | ||
1.一种功率半导体模块功率端子，其特征在于，包括第一功率端子和第二功率端子，所述第一功率端子包括依次连接的第一接触部分、第一中间部分和第一引脚，所述第二功率端子包括依次连接的第二接触部分、第二中间部分和第二引脚；所述第一接触部分与所述第二接触部分平行设置于两个相互平行的平面内，所述第一中间部分与所述第二中间部分分别平行设置于两个相互平行的平面内，所述第一引脚与所述第二引脚平行设置于同一平面内；所述第一中间部分与所述第二中间部分的部分或全部交叠设置；
其中，所述第一接触部分设有第一延伸结构，所述第一延伸结构朝向所述第二接触部分设置，所述第二接触部分设有第二延伸结构，所述第二延伸结构朝向所述第一接触部分设置，所述第一延伸结构与所述第二延伸结构的部分或全部交叠设置。
2.如权利要求1所述的功率半导体模块功率端子，其特征在于，所述第一延伸结构与所述第二延伸结构相互交叠的部分之间设有绝缘层。
3.如权利要求1所述的功率半导体模块功率端子，其特征在于，所述第一延伸结构与所述第二延伸结构分别设有绝缘层。
4.如权利要求1-3任一项所述的功率半导体模块功率端子，其特征在于，所述第一接触部分和所述第二接触部分的厚度为0.5-2mm。
5.如权利要求1-3任一项所述的功率半导体模块功率端子，其特征在于，所述第一延伸结构和所述第二延伸结构的间距为小于2mm。
6.如权利要求1所述的功率半导体模块功率端子，其特征在于，所述第一中间部分与所述第一接触部分位于同一平面内，所述第二中间部分与所述第二接触部分位于同一平面内。
7.如权利要求1所述的功率半导体模块功率端子，其特征在于，所述第一中间部分垂直于所述第一接触部分，所述第二中间部分垂直于所述第二接触部分。
8.如权利要求1所述的功率半导体模块功率端子，其特征在于，所述第一功率端子还包括第一弯折结构，所述第一中间部分通过所述第一弯折结构与所述第一引脚连接；所述第二功率端子还包括第二弯折结构，所述第二中间部分通过所述第二弯折结构与所述第二引脚连接。
9.如权利要求8所述的功率半导体模块功率端子，其特征在于，所述第一引脚和所述第二引脚的数量分别为多个，多个所述第一引脚和多个所述第二引脚分别分为两组，并且两组所述第二引脚位于两组所述第一引脚的两侧。
10.如权利要求9所述的功率半导体模块功率端子，其特征在于，多个所述第一引脚和多个所述第二引脚分别沿同一直线设置。
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