[发明专利]一种功率半导体模块功率端子有效

专利信息
申请号: 201810482718.7 申请日: 2018-05-18
公开(公告)号: CN108418063B 公开(公告)日: 2023-10-17
发明(设计)人: 安冰翀 申请(专利权)人: 臻驱科技(上海)有限公司
主分类号: H01R25/16 分类号: H01R25/16;H01R25/00
代理公司: 上海雍灏知识产权代理事务所(普通合伙) 31368 代理人: 沈汶波
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 半导体 模块 端子
【说明书】:

发明公开了一种功率半导体模块功率端子。本发明的功率半导体模块功率端子,包括第一功率端子和第二功率端子,第一功率端子包括依次连接的第一接触部分、第一中间部分和第一引脚,第二功率端子包括依次连接的第二接触部分、第二中间部分和第二引脚;其中,第一接触部分设有第一延伸结构,第一延伸结构朝向第二接触部分设置,第二接触部分设有第二延伸结构,第二延伸结构朝向第一接触部分设置,第一延伸结构与第二延伸结构的部分或全部交叠设置。本发明的功率半导体模块功率端子,能够增加第一功率端子和第二功率端子的叠层区域面积,进一步减小功率半导体模块的杂散电感,以提高功率半导体模块的效率和运行可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种功率半导体模块功率端子。

背景技术

对于工作在持续的开关状态的功率半导体模块,其半导体芯片在关断过程中会产生电压尖峰。该电压尖峰由半导体芯片的电流变化率di/dt和换流回路的杂散电感Ls共同确定。若电压尖峰超过半导体芯片的额定电压,则会导致半导体芯片被击穿并且失效,影响功率半导体模块的正常运行。

由于提高半导体元件的电流变化率di/dt有利于减小功率半导体模块的开关损耗,以提升功率半导体模块的工作效率,并且减小电压尖峰可帮助提高功率半导体模块允许的最大母线电压,从而提升功率半导体模块的输出功率。因此,减小功率半导体模块内部的杂散电感Ls对于提高功率半导体模块的效率和功率密度十分重要,在设计模块时需着重考虑。

现有的功率半导体模块的杂散电感Ls一般包括正负功率端子的杂散电感、模块衬底的杂散电感,以及正负功率端子、模块衬底之间的互感。其中,对于功率端子,现有技术中是采取将正负功率端子的中间部分叠层布置的方式减小功率端子的杂散电感。但采用这种结构时,功率端子用于与外部元器件连接的接触部分,为避免空气击穿和爬电,正负功率端子的接触部分的间隔较大,从而影响整体杂散电感的减小。

因此,针对现有的功率半导体模块功率端子由于正负功率端子的接触部分的间隔较大,导致无法可靠地减小功率端子整体的杂散电感的问题,需要提供一种能够可靠地减小整体杂散电感、提高功率半导体模块的效率的功率半导体模块功率端子。

发明内容

为解决上述问题,本发明提供一种功率半导体模块功率端子,能够消除第一功率端子和第二功率端子的接触部分之间的间隔,进一步减小功率半导体模块的杂散电感,以提高功率半导体模块的效率和运行可靠性。

为实现上述目的,本发明提供了一种功率半导体模块功率端子,包括第一功率端子和第二功率端子,第一功率端子包括依次连接的第一接触部分、第一中间部分和第一引脚,第二功率端子包括依次连接的第二接触部分、第二中间部分和第二引脚;第一接触部分与第二接触部分平行设置于两个相互平行的平面内,第一中间部分与第二中间部分分别平行设置于两个相互平行的平面内,第一引脚与第二引脚平行设置于同一平面内;第一中间部分与第二中间部分的部分或全部交叠设置;

其中,第一接触部分设有第一延伸结构,第一延伸结构朝向第二接触部分设置,第二接触部分设有第二延伸结构,第二延伸结构朝向第一接触部分设置,第一延伸结构与第二延伸结构的部分或全部交叠设置。

进一步地,第一延伸结构与第二延伸结构相互交叠的部分之间设有绝缘层。

进一步地,第一延伸结构与第二延伸结构分别设有绝缘层。

进一步地,第一接触部分和第二接触部分的厚度为0.5-2mm。

进一步地,第一延伸结构和第二延伸结构的间距为小于2mm。

进一步地,第一中间部分与第一接触部分位于同一平面内,第二中间部分与第二接触部分位于同一平面内。

进一步地,第一中间部分垂直于第一接触部分,第二中间部分垂直于第二接触部分。

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