[发明专利]LDMOS静电保护器件有效
| 申请号： | 201810482780.6 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108766964B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈卓俊;曾云;彭伟;金湘亮;张云;吴志强 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 静电 保护 器件 | ||
1.一种LDMOS静电保护器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设有深N阱，所述深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第三N+注入区、第三P+注入区和第四N+注入区，所述第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区和第二P+注入区；所述第二N+注入区和所述第二P+注入区互相连接；所述第一P+注入区、所述第一N+注入区连接阴极；所述第三P+注入区、所述第四N+注入区连接阳极，所述第三P+注入区、所述深N阱、所述第一P阱构成第一PNP型晶体管；所述深N阱、所述第一P阱、所述第一N+注入区构成第一NPN型晶体管；所述第二N+注入区、所述第一P阱、所述第一N+注入区构成第二NPN型晶体管，阴极还与第一多晶硅栅和第二多晶硅栅连接；第一多晶硅栅设置在第一N+注入区和第二N+注入区之间的第一P阱上、第二多晶硅栅设置在第二P+注入区和第三N+注入区之间且位于第一P阱和深N阱上；第一P+注入区和第一N+注入区邻接、第二N+注入区和第二P+注入区邻接设置且相互连接、第三N+注入区和第三P+注入区隔着场氧设置、第三P+注入区和第四N+注入区邻接设置。
2.根据权利要求1所述的LDMOS静电保护器件，其特征在于，所述第一N+注入区和所述第二N+注入区之间设有沟道区。
3.根据权利要求2所述的LDMOS静电保护器件，其特征在于，所述沟道区上方设有第一薄栅氧化层，所述第一薄栅氧化层上覆盖有第一多晶硅栅。
4.根据权利要求1所述的LDMOS静电保护器件，其特征在于，所述第二P+注入区与所述第三N+注入区之间设有第二薄栅氧化层和第一场氧区，所述第二薄栅氧化层上覆盖有第二多晶硅栅。
5.根据权利要求1所述的LDMOS静电保护器件，其特征在于，所述第三N+注入区和所述第三P+注入区之间设有第二场氧区。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的LDMOS静电保护器件，其特征在于，当有正脉冲出现在阳极时，所述LDMOS静电保护器件存在两条静电泄放路径，其中一条路径为所述第四N+注入区、所述第三P+注入区、所述深N阱、所述第一P阱、所述第一P+注入区、所述第一N+注入区，另一条路径为所述第四N+注入区、所述第三P+注入区、所述深N阱、所述第一P阱、所述第二P+注入区、所述第二N+注入区、所述第一N+注入区。
7.根据权利要求1至5任意一项所述的LDMOS静电保护器件，其特征在于，所述衬底为P型硅衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
