[发明专利]一种局域电场增强忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810485851.8 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108565338A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李祎;李灏阳;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 电极 下电极 功能层 忆阻器 电场增强 纳米压印 随机性 三明治结构 电场 矩形突起 上下电极 形状互补 中轴对称 保形性 边缘棱 导电丝 突起 | ||
【权利要求书】：
1.一种局域电场增强忆阻器，所述忆阻器包括：下电极、功能层和上电极，所述功能层夹在所述上电极和所述下电极之间形成三明治结构，其特征在于，
所述下电极上侧具有中轴对称的矩形突起；
所述上电极下侧与所述下电极形状互补。
2.如权利要求1所述的局域电场增强忆阻器，其特征在于，所述矩形突起的高度根据功能层厚度而定，应小于功能层的厚度。
3.如权利要求1或2所述的局域电场增强忆阻器，其特征在于，所述功能层的材料为可利用原子层沉积制备的材料。
4.一种局域电场增强忆阻器的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤S1.在衬底上制备下电极，所述下电极上侧具有中轴对称的矩形突起；
步骤S2.在下电极上制备功能层；
步骤S3.在功能层上制备上电极，所述上电极下侧与所述下电极形状互补。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述矩形突起的高度根据功能层厚度而定，应小于功能层的厚度。
6.如权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，下电极的制备是通过纳米压印和原子层沉积的方法。
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