[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：设置在衬底基板一侧的第一栅极、有源层、第二栅极、源漏电极；还包括：缓冲层、栅绝缘层、层间介质层、钝化层、遮光层和设置在所述层间介质层远离所述衬底基板一侧的连接电极；

其中，所述有源层设置在所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧；所述第二栅极设置在所述有源层远离所述衬底基板的一侧；所述源漏电极设置在所述第二栅极远离衬底基板的一侧；所述源漏电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域；

其中，所述缓冲层设置在所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧；所述栅绝缘层设置在所述有源层远离所述衬底基板的一侧；所述层间介质层设置在所述第二栅极远离所述衬底基板的一侧；

所述缓冲层包括：第一过孔，所述第一过孔在衬底基板上的正投影与所述第一栅极在衬底基板上的正投影存在重叠区域；所述层间介质层包括：第二过孔和第三过孔，所述第二过孔在衬底基板上的正投影与所述第二栅极在衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述第三过孔在衬底基板上的正投影覆盖所述第一过孔在衬底基板上的正投影；

所述连接电极通过所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔电连接所述第一栅极和所述第二栅极；

所述钝化层设置在所述源漏电极远离所述衬底基板的一侧；所述遮光层设置在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧，用于吸收和/或反射环境光。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括金属氧化物半导体。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述连接电极的制作材料为透明导电材料。

5.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1～4任一项所述的薄膜晶体管和光敏元件；其中，

所述光敏元件设置在所述薄膜晶体管的源漏电极远离所述衬底基板的一侧；

所述光敏元件的第一电极与所述薄膜晶体管的源电极或漏电极连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：导出层；

所述导出层设置在所述光敏元件远离所述衬底基板一侧；所述光敏元件的第二电极与导出层连接。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括：导电层；

所述导电层与薄膜晶体管中的第二栅极同层设置，且与所述导出层连接；

其中，所述导电层在衬底基板上的正投影与薄膜晶体管中的源漏电极在衬底基板上的正投影存在重叠区域。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括：连接层；

所述连接层与薄膜晶体管中的源漏电极同层设置；

所述导电层通过所述连接层与所述导出层连接。

9.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求5～8任一项所述的阵列基板。

10.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板的一侧形成第一栅极；

在所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧形成有源层；

在所述有源层远离所述衬底基板的一侧形成第二栅极；

在所述第二栅极远离衬底基板的一侧形成源漏电极；其中，所述源漏电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域；所述有源层的沟道区域在衬底基板上的正投影覆盖所述第二栅极在衬底基板上的正投影；

在所述源漏电极远离所述衬底基板的一侧形成钝化层；

在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧形成用于吸收和/或反射环境光的遮光层；

所述在所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧形成有源层包括：

在第一栅极远离所述衬底基板的一侧形成缓冲层；缓冲层包括：第一过孔，所述第一过孔在衬底基板上的正投影与所述第一栅极在衬底基板上的正投影存在重叠区域；

在所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧形成有源层；

所述在所述第二栅极远离衬底基板的一侧形成源漏电极包括：

在第二栅极远离衬底基板的一侧形成层间介质层；所述层间介质层包括：第二过孔和第三过孔，所述第二过孔在衬底基板上的正投影与所述第二栅极在衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述第三过孔在衬底基板上的正投影覆盖所述第一过孔在衬底基板上的正投影；

在层间介质层远离衬底基板的一侧形成源漏电极和连接电极，所述连接电极通过所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔电连接所述第一栅极和所述第二栅极。