[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

说明书

本发明实施例公开一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，其中，薄膜晶体管包括：设置在衬底基板一侧的第一栅极、有源层、第二栅极和源漏电极；其中，有源层设置在第一栅极远离衬底基板的一侧；第二栅极设置在第一栅极远离衬底基板的一侧；源漏电极设置在第二栅极远离衬底基板的一侧；源漏电极在衬底基板上的正投影与第二栅极在衬底基板上的正投影存在重叠区域。本发明实施例避免后续工艺中氢原子进入有源层，避免薄膜晶体管的阈值电压负漂，降低了薄膜晶体管的漏电流，进而保证了光学检测时暗电流变小以及信噪比，能够准确地对显示器进行光学补偿。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)是当前平板显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)相比，OLED显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，目前，在手机、平板电脑、数码相机等显示领域，OLED显示器已经开始取代传统的LCD显示器。

OLED显示器在工作过程中会出现亮度衰减的问题，为了保证显示器均匀而持续的亮度，需要采用合适的补偿方法，其中一种就是光学补偿。光学补偿即利用光敏元件侦测像素亮度，根据得到的结果针对性的调整数据电压，进而补偿亮度的方法。

目前常用的光敏元件是PIN二极管，控制器件是氧化物薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)。但PIN二极管在制作过程中会产生较多的氢原子，这些氢原子会侵蚀薄膜晶体管有源层的沟道区域，导致TFT的阈值电压负漂，漏电流增大，造成光学检测时暗电流较大，无法保证信噪比，进而无法准确地进行光学补偿。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，能够避免在薄膜晶体管上形成PIN二极管时氢原子进入有源层，侵蚀薄膜晶体管有源层的沟道区域；避免薄膜晶体管的阈值电压负漂，降低了薄膜晶体管的漏电流，进而保证了光学检测时暗电流减小以及信噪比，能够准确地对显示器进行光学补偿。

第一方面，本发明实施例提供一种薄膜晶体管，包括：设置在衬底基板一侧的第一栅极、有源层、第二栅极和源漏电极；

其中，所述有源层设置在所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧；所述第二栅极设置在所述有源层远离所述衬底基板的一侧；所述源漏电极设置在所述第二栅极远离衬底基板的一侧；所述源漏电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

可选地，还包括：缓冲层、栅绝缘层和层间介质层；

其中，所述缓冲层设置在所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧；所述栅绝缘层设置在所述有源层远离所述衬底基板的一侧；所述层间介质层设置在所述第二栅极远离所述衬底基板的一侧。

可选地，还包括：设置在所述层间介质层远离所述衬底基板一侧的连接电极；

所述缓冲层包括：第一过孔，所述第一过孔在衬底基板上的正投影与所述第一栅极在衬底基板上的正投影存在重叠区域；所述层间介质层包括：第二过孔和第三过孔，所述第二过孔在衬底基板上的正投影与所述第二栅极在衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述第三过孔在衬底基板上的正投影覆盖所述第一过孔在衬底基板上的正投影；

所述连接电极通过所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔电连接所述第一栅极和所述第二栅极。

可选地，所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影。

可选地，所述有源层包括金属氧化物半导体。

可选地，所述连接电极的制作材料为透明导电材料。