[发明专利]一种超低功耗的修调码值产生电路有效
申请号: | 201810493177.8 | 申请日: | 2018-05-22 |
公开(公告)号: | CN108733128B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 李泽宏;罗仕麟;洪至超;熊涵风;张成发;时传飞;赵念 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功耗 修调码值 产生 电路 | ||
一种超低功耗的修调码值产生电路,属于电子电路技术领域。包括控制信号产生模块、修调码值生成模块和修调码值保存输出模块,其中控制信号产生模块用于产生控制信号控制修调码值生成模块是否正常工作,同时产生时钟信号控制修调码值保存输出模块将修调码值生成模块产生的修调码值保存;修调码值生成模块通过控制熔丝产生所需的修调码值,修调码值保存输出模块的输入端连接产生单元的输出端,其时钟端连接时钟信号,用来保存并输出修调码值。本发明在保存并输出产生的修调码值之后电路进入复位状态,修调码值的产生到输出只需产生一次时钟信号,减少了电流的损耗,大大降低了电路的功耗。
技术领域
本发明涉及电子电路技术,具体的说是涉及一种超低功耗的修调码值产生电路。
背景技术
修调(Trimming)技术可以降低工艺波动、工艺失调等对电路的影响,提高芯片成品率。用修调Trimming技术提高电路关键性能可以减小相关联电路的设计约束,降低设计难度,降低相关联电路的功耗,缩小电路面积。但是修调电路本身也有功耗,在芯片系统设计中需要充分考虑提高精度对于整个芯片系统的意义,也要考虑如何进一步降低修调电路的功耗。
因此,利用超低功耗的修调码值产生电路对电路进行优化的同时,需要降低修调电路的功耗,使之更适应于集成电路低功耗的趋势。
发明内容
针对上述修调码值产生电路需要在功耗上进一步优化的问题,本发明提出一种超低功耗的修调码值产生电路,可以有效控制修调码值生成模块的工作时间,降低系统的功耗。
本发明所采用的技术方案为:
一种超低功耗的修调码值产生电路,包括控制信号产生模块、修调码值生成模块和修调码值保存输出模块,
所述控制信号产生模块用于产生控制信号PD_N和时钟信号CK,所述控制信号PD_N用于控制所述修调码值生成模块,所述时钟信号CK用于控制所述修调码值保存输出模块;
所述修调码值生成模块包括基准比较单元和产生单元,
所述基准比较单元包括第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第四NMOS管NM4、第一PMOS管PM1和第一电阻R1,
第一NMOS管NM1的漏极连接基准电流Iref,其栅极连接第二NMOS管NM2的栅极和第四NMOS管NM4的漏极并作为所述基准比较单元的第一输出端,其源极连接第二NMOS管NM2和第四NMOS管NM4的源极并接地GND;
第四NMOS管NM4的栅极连接所述控制信号PD_N;
第二NMOS管NM2的漏极连接第一PMOS管PM1的栅极和漏极并作为所述基准比较单元的第二输出端;
第一电阻R1的一端连接电源电压VDD,另一端连接第一PMOS管PM1的源极;
所述产生单元包括第二PMOS管PM2、熔丝、第三NMOS管NM3和第五NMOS管NM5,
第三NMOS管NM3的栅极连接所述基准比较单元的第一输出端,其漏极连接第五NMOS管NM5和第二PMOS管PM2的漏极并作为所述产生单元的输出端,其源极连接第五NMOS管NM5的源极并接地GND;
第五NMOS管NM5的栅极连接所述控制信号PD_N;
第二PMOS管PM2的栅极连接所述基准比较单元的第二输出端,其源极连接熔丝的一端并作为熔丝控制端;
熔丝的另一端连接电源电压VDD;
所述修调码值保存输出模块的输入端连接所述产生单元的输出端,其时钟端连接所述时钟信号CK,其输出端输出所述修调码值。
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