[发明专利]一种可控的外延生长的分级结构的纳米复合材料、制备方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201810493511.X 申请日: 2018-05-22
公开(公告)号: CN108695499B 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 张小俊;蔡国辉 申请(专利权)人: 安徽师范大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/58;H01M10/0525;B82Y40/00
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人: 任晨晨
地址: 241000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 分级结构 纳米复合材料 制备 外延生长 兼容性 可控的 应用 导电性 电化学性能 结构稳定性 生产成本低 表面刻蚀 多孔片状 纳米带状 三氧化钼 形貌可控 优化材料 复合材料 前驱体 潜在的 重现性 储能 保证
【权利要求书】:

1.一种可控的外延生长的分级结构的纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:

S1:将钼酸钠溶解于二次蒸馏水中并加入盐酸溶液,得混合溶液,将混合溶液转移至高温反应釜中,水热反应,结束后,自然冷却至室温,之后,通过离心,收集产物,洗涤、真空干燥,即可得纳米带状的三氧化钼前驱体;

S2:将步骤S1合成的纳米带状三氧化钼加入到二次蒸馏水中搅拌至溶液均匀,再加入盐酸溶液、硫脲、二氧化硒和硼氢化钠,搅拌,再将所得混合溶液转移至高温反应釜中,水热反应,结束后,自然冷却至室温,之后,通过离心,收集产物,洗涤、真空干燥,得外延生长的MoS2(1-x)Se2x分级结构的纳米复合材料;

步骤S2中三氧化钼、硫脲、二氧化硒、硼氢化钠和盐酸中HCl的摩尔比1:1.9-1.5:0.1-0.5:4:10;

步骤S2中所得产物为得外延生长的MoS2(1-x)Se2x分级结构的纳米复合材料,x=0.05-0.25。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述水热反应是指180℃水热反应12-24 h。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中钼酸钠和盐酸溶液中HCl的摩尔比为1:2-3。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中钼酸钠在混合溶液中的浓度≥0.2 mol L-1

5.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述水热反应是指180℃-200℃水热反应15-24h。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S2三氧化钼在混合溶液中的浓度≥0.04 mol L-1

7.一种可控的外延生长的分级结构的纳米复合材料,采用权利要求1-6任一项所述方法制备得到。

8.一种权利要求7所述的可控的外延生长的分级结构的纳米复合材料在锂离子电池上的应用。

9.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,可控的外延生长的分级结构的纳米复合材料作为负极材料应用于锂离子电池。

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