[发明专利]用于半导体处理腔室隔离以实现减少的颗粒和改善的均匀性的方法和设备

权利要求书

1.一种等离子体处理腔室，包括：

腔室主体，所述腔室主体包括腔室壁、腔室底板和盖支撑件；

基板支撑组件，所述基板支撑组件至少部分地设置在所述腔室主体内并配置成支撑基板；

盖组件，所述盖组件设置在所述基板支撑组件上方并定位在所述盖支撑件上，其中所述盖组件和所述腔室主体限定第一处理容积；和

底部隔离组件，所述底部隔离组件包围所述基板支撑组件的至少一部分并可从装载位置竖直地移动到处理位置，其中当所述底部隔离组件在所述处理位置中时，在所述底部隔离组件与所述盖组件之间形成密封，其中所述基板支撑组件和所述底部隔离组件可相对于彼此独立地移动。

2.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述底部隔离组件和所述盖组件限定第二处理容积，所述第二处理容积小于所述第一处理容积，并且当所述底部隔离组件在所述处理位置中时，所述第二处理容积在所述第一处理容积内。

3.如权利要求2所述的等离子体处理腔室，其中当所述底部隔离组件在所述处理位置中，所述第二处理容积与所述第一处理容积隔离。

4.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述底部隔离组件包括：

基底板，所述基底板包括底表面；和

侧壁，所述侧壁从所述底表面延伸。

5.如权利要求4所述的等离子体处理腔室，其中所述底部隔离组件进一步包括泵吸板，所述泵吸板设置在所述基底板上。

6.如权利要求5所述的等离子体处理腔室，其中所述底部隔离组件具有从所述基底板的所述底表面延伸的排气导管。

7.如权利要求4所述的等离子体处理腔室，其中所述基板支撑组件包括：

支撑轴；和

加热器底座，所述加热器底座设置在所述支撑轴上以支撑所述基板，其中所述支撑轴延伸穿过所述腔室底板和所述基底板的所述底表面。

8.如权利要求7所述的等离子体处理腔室，其中所述支撑轴经由第一可移动支架与第一致动器耦接以使所述基板支撑组件竖直地移动。

9.如权利要求8所述的等离子体处理腔室，其中所述底部隔离组件经由第二可移动支架与第二致动器耦接以使所述底部隔离组件从所述装载位置竖直地移动到所述处理位置。

10.如权利要求9所述的等离子体处理腔室，其中所述第一可移动支架和所述第二可移动支架通过串联且同轴地组装的波纹管进行连接。

11.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，进一步包括陶瓷隔离环，所述陶瓷隔离环定位在所述盖组件与所述底部隔离组件之间。

12.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，进一步包括一个或多个升降销，所述一个或多个升降销用于将所述基板从所述基板支撑组件抬离。

13.如权利要求1所述的等离子体处理腔室，其中所述底部隔离组件是铝。