[发明专利]半导体封装件的制造方法在审
申请号: | 201810495265.1 | 申请日: | 2018-05-22 |
公开(公告)号: | CN109979830A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 孙钟明 | 申请(专利权)人: | 巴伦电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/552 |
代理公司: | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 韩国京畿道华*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 注塑 填充 半导体封装件 半导体器件 电磁波屏蔽 电磁波屏蔽材料 电磁波屏蔽层 表面保护膜 槽部 切割 表面涂敷 附着表面 保护膜 附着 隔开 去除 制造 分割 | ||
1.一种半导体封装件的制造方法,其特征在于,
包括:
半导体器件安装步骤,在基板的一面上以相互隔开的方式安装多个半导体器件;
注塑部形成步骤,对上述多个半导体器件及基板的上部进行注塑来形成注塑部;
第一次切割步骤,对上述多个半导体器件之间的注塑部进行第一次切割来形成槽部;
电磁波屏蔽填充部形成步骤,利用第一电磁波屏蔽材料填充上述槽部来形成电磁波屏蔽填充部;
表面保护膜附着步骤,在上述基板的另一面附着表面保护膜;
电磁波屏蔽层形成步骤,向上述注塑部的表面及电磁波屏蔽填充部的表面涂敷第二电磁波屏蔽材料来形成电磁波屏蔽层;
表面保护膜去除步骤,从上述基板的另一面分离并去除表面保护膜;以及
第二次切割步骤,对上述电磁波屏蔽填充部及基板进行第二次切割来以半导体封装件单位进行分割,
上述表面保护膜附着步骤在电磁波屏蔽层形成步骤之前执行。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,上述表面保护膜附着步骤在半导体器件安装步骤和电磁波屏蔽填充部形成步骤中的一个步骤之后执行。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,上述表面保护膜附着步骤在注塑部形成步骤之后且在第一次切割步骤之前执行。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,在上述半导体器件安装步骤之后且在注塑部形成步骤之前还包括在上述多个半导体器件之间的隔开区域配置导电性部件的步骤。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,上述第二次切割的宽度(W2)小于上述第一次切割的宽度(W1)。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,在上述表面保护膜去除步骤之后且在第二次切割步骤之前还包括在上述保护膜被去除的基板的表面配置多个外部端子的步骤。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,在上述第二次切割步骤后所分割的半导体封装件包括:
基板;
半导体器件,安装于上述基板的中央上部;
焊接金属线,用于连接上述半导体器件和基板;
注塑部,用于密封上述基板的上部、半导体器件及焊接金属线;
第二电磁波屏蔽层,配置于上述注塑部的所有面;以及
第一电磁波屏蔽层,配置于上述注塑部的上部面及第二电磁波屏蔽层的上端部来与第二电磁波屏蔽层的上端部相结合。
8.根据权利要求7所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,
在上述第二次切割步骤后所分割的半导体封装件还包括与上述焊接金属线隔开配置来被上述密封部密封的接地部,
上述接地部的一端部固定于基板的上部,另一端部与第二电磁波屏蔽层物理连接、电连接。
9.根据权利要求7或8所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,在上述第二次切割步骤后所分割的半导体封装件还包括配置于上述基板的下部的外部端子。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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