[发明专利]半导体封装件的制造方法在审
申请号: | 201810496390.4 | 申请日: | 2018-05-22 |
公开(公告)号: | CN109390239A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 孙钟明 | 申请(专利权)人: | 巴伦电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 韩国京畿道华*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体封装件 电磁波屏蔽层 离型膜 电磁波屏蔽性能 注塑 形成工序 简便性 涂敷 制造 | ||
1.一种半导体封装件的制造方法,利用形成有电磁波屏蔽层的离型膜,其特征在于,包括:
步骤一,准备在一面具有安装有半导体器件的多个封装件单位区域且安装有用于包围各封装件单位区域的边界部的导电性接线柱部的基板;
步骤二,在相向的上部模具和下部模具分别配置上述基板和形成有电磁波屏蔽层的离型膜之后,向上述上部模具与下部模具之间投入注塑树脂并密封,从而形成一面被树脂密封的基板;
步骤三,从树脂密封的上述基板分离离型膜来获得转印有电磁波屏蔽层的基板;
步骤四,在转印有电磁波屏蔽层的上述基板的另一面形成焊球;以及
步骤五,按照半导体封装件单位分割形成有焊球的上述基板。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,上述离型膜包括:
基材膜;
电磁波屏蔽层,包含导电性物质;以及
离型层,位于上述基材膜与电磁波屏蔽层之间,使它们粘结。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,上述导电性物质为选自由金属、碳材料、镀敷金属的高分子及镀敷金属的陶瓷构成的组中的1种以上。
4.根据权利要求2所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,上述离型层为在规定水平以上的温度下剥离的粘结剂。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,上述导电性接线柱部为上下部面呈开放状的方形圈形状、在一区域形成有开口部的方形圈形状或在至少一侧面具有网眼形开口部的网眼形方形圈形状。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,上述导电性接线柱部的高度为在使上部模具与下部模具相互紧贴加压时的设置于下部模具的腔部底面与上述基板的半导体器件的安装面之间的间隔。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,上述导电性接线柱通过表面组装技术或引线键合来设置。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,
在上述步骤二中,利用具有用于放置基板的第一腔部的上部模具和在与上述第一腔部相向的一面具有形成注塑树脂填充空间的第二腔部的下部模具来实施树脂密封步骤,上述步骤二包括:
步骤二-1,在上述上部模具的第一腔部放置上述基板,使基板的一面朝向下部模具;
步骤二-2,在上述下部模具的第二腔部的底面配置形成有电磁波屏蔽层的上述离型膜,使电磁波屏蔽层朝向上部模具;以及
步骤二-3,向上述下部模具的第二腔内填充注塑树脂,以基板的一面被浸渍的状态进行加压固化来实现树脂密封。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,
在上述步骤二中形成的一面被树脂密封的基板包括:
基板;
树脂密封部,对安装于上述基板的一面的半导体器件和导电性接线柱部全部进行密封;
电磁波屏蔽层,依次配置于上述树脂密封部的上侧;以及
离型膜,
上述导电性接线柱部的上端部和电磁波屏蔽层物理结合。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,在上述步骤五中,切断包围各封装件单位区域的导电性接线柱部的端部面。
11.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法,其特征在于,在上述步骤五中被分割的半导体封装件包括:
基板,在一面的中央部形成有半导体器件安装区域,在另一面形成有焊球;
半导体器件,安装于上述安装区域;
导电性接线柱部,以包围上述安装区域的方式垂直设置于基板的一面;
树脂密封部,形成于由上述导电性接线柱部包围的内部空间,用于密封上述半导体器件;以及
电磁波屏蔽层,与上述导电性接线柱的上端部相结合,并包围上述树脂密封部的表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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