[发明专利]半导体封装件的制造方法在审
申请号: | 201810496390.4 | 申请日: | 2018-05-22 |
公开(公告)号: | CN109390239A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 孙钟明 | 申请(专利权)人: | 巴伦电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 韩国京畿道华*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体封装件 电磁波屏蔽层 离型膜 电磁波屏蔽性能 注塑 形成工序 简便性 涂敷 制造 | ||
本发明涉及利用形成有电磁波屏蔽层的离型膜的半导体封装件的制造方法。在本发明中,使用已涂敷有电磁波屏蔽层的离型膜,无需进行在以往的半导体封装件工序中需在进行注塑之后执行的电磁波屏蔽层形成工序,从而可谋求工序的简便性以及提高生产率,不仅如此,可发挥优秀的电磁波屏蔽性能。
技术领域
本发明涉及半导体封装件的制造方法,更详细地,涉及如下的新型半导体封装件的制造方法,即,利用形成有电磁波屏蔽层的离型膜来以新的方式改善封装件的电磁波屏蔽层形成结构,从而可减少工序数量及制造费用。
背景技术
由于移动设备的性能提高引起的数据传输速度的增加,电磁波的干扰影响正在增加。为解决上述问题,使用将金属罐(Metal can)等套在电子产品来屏蔽电磁波的方法。但是,由于移动设备的小型化及薄型化引起的空间上的制约,逐渐需要半导体封装件水平的电磁波屏蔽方法。
作为上述半导体封装件水平的电磁波屏蔽方法具有喷射(spray)法、电镀(plating)法、溅射(sputtering)法等。其中,溅射法相比于其他方法具有优秀的屏蔽效果,因此,相当于目前最普遍批量生产的方法,但是,由于初始投资费高,实际难以进入商业(Biz)阶段。尤其,基于溅射法的电磁波屏蔽方法必须投资用于进行蒸镀工序的一连串的蒸镀设备和用于对以单元(unit)单位构成的封装件进行装载及卸载的操作系统的附加设备。并且,为了单元溅射,作为附着于环框(ring frame)上来放置半导体封装件的夹具(Jig)作用来使用聚酰亚胺(PI)带,但是,这种材料费的消耗相对大。同时,单元操作引起的每小时生产量(UPH)仅为10K水平。
因此,需要研发易于大量生产、经济且具有优秀的电磁波屏蔽效果的半导体封装件水平的新电磁波屏蔽方法。
发明内容
本发明为了解决如上所述的现有技术的问题而提出,本发明的目的在于提供如下的新型半导体封装件的制造方法,即,利用代替以往溅射方式的使用离型膜来进行注塑的方式,改善经济性及生产率,且发挥半导体封装件水平的优秀的屏蔽性。
更具体地,本发明的技术目的在于,提供如下的新型半导体封装件的制造方法,即,使用涂敷有电磁波屏蔽层的离型膜,与此同时,作为被注塑的对象物,半导体器件和包围安装上述半导体器件的区域的导电性接线柱部并用事先所设置的基板来进行注塑,省略了在以往的注塑工序之后将电磁波屏蔽剂涂敷于树脂密封部上的工序,从而谋求制造工序的简便性和经济性,并可提供优秀的屏蔽性。
为了实现上述技术目的,本发明的利用形成有电磁波屏蔽层的离型膜的新型半导体封装件的制造方法可包括:步骤一,准备在一面具有安装有半导体器件的多个封装件单位区域且安装有用于包围各封装件单位区域的边界部的导电性接线柱部的基板;步骤二,在相向的上部模具和下部模具分别配置上述基板和形成有电磁波屏蔽层的离型膜之后,向上述上部模具与下部模具之间投入注塑树脂并密封,从而形成一面被树脂密封的基板;步骤三,从树脂密封的上述基板分离离型膜来获得转印有电磁波屏蔽层的基板;步骤四,在转印有电磁波屏蔽层的上述基板的另一面形成焊球;以及步骤五,按照半导体封装件单位分割形成有焊球的上述基板。
根据本发明的一具体例,上述离型膜可包括:基材膜;电磁波屏蔽层,包含导电性物质;以及离型层,位于上述基材膜与电磁波屏蔽层之间,使它们粘结。
其中,上述导电性物质可为选自由金属、碳材料、镀敷金属的高分子及镀敷金属的陶瓷组成的组中的1种以上。并且,上述离型层可为通过在上述步骤二中所施加的热量来具有离型特性而被剥离的热剥离型粘结剂。
根据本发明的一具体例,上述导电性接线柱部可为上下部面呈开放状的方形圈形状、在一区域形成有至少一个开口部的方形圈形状或在至少一面具有网眼形开口部的网眼形方形圈形状。
根据本发明的一具体例,上述导电性接线柱部的高度可为在使上部模具与下部模具相互紧贴加压时的设置于下部模具的腔部底面与上述基板的半导体器件的安装面之间的间隔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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