[发明专利]集成电路器件有效
申请号: | 201810499974.7 | 申请日: | 2018-05-23 |
公开(公告)号: | CN108962913B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | S.库查努里;S.拉斯托吉;R.拉杰夫;朴哲弘;梁在锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/118 | 分类号: | H01L27/118 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 器件 | ||
1.一种集成电路器件,包括:
多条参考导电线,在由第一单元边界限定的第一逻辑单元区域内在第一方向上延伸,所述多条参考导电线沿着彼此平行地布置的多条布线轨迹延伸;和
多条交换导电线,在由第二单元边界限定的第二逻辑单元区域中沿着所述多条布线轨迹延伸,
其中所述多条参考导电线中的至少一条参考导电线包括从所述第一逻辑单元区域跨过所述第一单元边界延伸到所述第二逻辑单元区域中的第一末端部分,
其中所述多条交换导电线中的至少一条交换导电线包括从所述第二逻辑单元区域跨过所述第二单元边界延伸到所述第一逻辑单元区域中的第一对应末端部分,以及
其中所述至少一条参考导电线与所述至少一条交换导电线沿着所述多条布线轨迹中不同的布线轨迹延伸。
2.根据权利要求1所述的集成电路器件,其中所述至少一条参考导电线的平面形状与所述至少一条交换导电线的平面形状相同。
3.根据权利要求1所述的集成电路器件,其中,在所述第一方向上,所述至少一条参考导电线的长度与所述至少一条交换导电线的长度相同。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件,还包括:单元边界部分,在该单元边界部分中所述第一单元边界和所述第二单元边界彼此重叠;以及沿着所述单元边界部分延伸的虚设栅线,
其中所述虚设栅线包括在所述至少一条参考导电线下面与所述至少一条参考导电线垂直地重叠的第一部分以及在所述至少一条交换导电线下面与所述至少一条交换导电线垂直地重叠的第二部分。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件,其中所述多条参考导电线和所述多条交换导电线是在所述第一方向上延伸的布线层。
6.一种集成电路器件,包括:
第一逻辑单元区域,包括在基板上在第一方向上彼此平行地延伸的第一参考导电线和第二参考导电线;
第二逻辑单元区域,包括在所述基板上在所述第一方向上彼此平行地延伸的第一交换导电线和第二交换导电线;以及
单元边界部分,在所述第一逻辑单元区域和所述第二逻辑单元区域之间,
其中所述第一参考导电线包括在所述第一逻辑单元区域内与所述单元边界部分间隔开并面对所述第二逻辑单元区域的第一末端部分,
其中所述第二参考导电线包括从所述第一逻辑单元区域跨过所述单元边界部分延伸到所述第二逻辑单元区域中的第二末端部分,
其中所述第一交换导电线包括与所述第一参考导电线共线地延伸并跨过所述单元边界部分延伸到所述第一逻辑单元区域中以面对所述第一末端部分的第一对应末端部分,并且
其中所述第二交换导电线包括与所述第二参考导电线共线地延伸并在所述第二逻辑单元区域内与所述单元边界部分间隔开以面对所述第二末端部分的第二对应末端部分。
7.根据权利要求6所述的集成电路器件,
其中所述第一逻辑单元区域包括沿着在所述第一方向上彼此平行地延伸的多条第一布线轨迹延伸的多条第一导电线,并且
其中所述第一参考导电线和所述第二参考导电线是所述多条第一导电线当中的两条相邻的第一导电线。
8.根据权利要求6所述的集成电路器件,
其中所述第一参考导电线和所述第二交换导电线在所述第一方向上具有相同的长度,并且
其中所述第二参考导电线和所述第一交换导电线在所述第一方向上具有相同的长度。
9.根据权利要求6所述的集成电路器件,还包括:
多条第一栅线,在所述第一逻辑单元区域内在与所述第一方向相交的第二方向上延伸;
多条第二栅线,在所述第二逻辑单元区域内在所述第二方向上延伸;以及
虚设栅线,沿着所述单元边界部分在所述第二方向上延伸,
其中所述多条第一栅线、所述虚设栅线和所述多条第二栅线在所述第一方向上具有相同的宽度并在所述第一方向上以恒定的节距布置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的