[发明专利]集成电路器件有效
申请号: | 201810499974.7 | 申请日: | 2018-05-23 |
公开(公告)号: | CN108962913B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | S.库查努里;S.拉斯托吉;R.拉杰夫;朴哲弘;梁在锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/118 | 分类号: | H01L27/118 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 器件 | ||
本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括:在第一型式逻辑单元中在第一方向上平行地布置的一对参考导电线以及在第二型式逻辑单元中平行地布置的一对交换导电线,其中所述一对参考导电线和所述一对交换导电线中的在不同布线轨迹中的一个参考导电线和一个交换导电线具有相同的平面形状和相同的长度,并延伸以交叉第一型式逻辑单元和第二型式逻辑单元之间的单元边界。
技术领域
发明构思涉及集成电路器件,更具体地,涉及包括多条导电线的集成电路器件。
背景技术
由于电子技术的发展,近年来半导体器件已经快速地按比例缩小。由于高运行速度以及操作精度在高度按比例缩小的集成电路器件中会是重要的,所以需要提供布线结构,该布线结构包括在相对小的区域内具有稳定的布局结构的导电线。
发明内容
发明构思提供能够保证相邻单元的导电线之间的末端到末端余量(tip-to-tipmargin)以及接触余量的集成电路器件,而不用将严格的设计规则施加到由于按比例缩小而具有减小的面积的器件区域的集成电路器件。
根据发明构思的一方面,提供一种集成电路器件,该集成电路器件包括:多条参考导电线(reference conductive line),在由第一单元边界限定的第一逻辑单元区域内在第一方向上延伸并沿着彼此平行布置的多条布线轨迹(wiring track)延伸;和多条交换导电线(swap conductive line),在由第二单元边界限定的第二逻辑单元区域中沿着多条布线轨迹延伸,其中所述多条参考导电线中的至少一条参考导电线包括从第一逻辑单元区域跨过第一单元边界延伸到第二逻辑单元区域中的第一末端部分,并且其中所述多条交换导电线中的至少一条交换导电线包括从第二逻辑单元区域跨过第二单元边界延伸到第一逻辑单元区域中的第一对应末端部分。
根据发明构思的另一方面,提供一种集成电路器件,该集成电路器件包括:第一逻辑单元区域,包括在基板上在第一方向上彼此平行地延伸的第一参考导电线和第二参考导电线;第二逻辑单元区域,包括在基板上在第一方向上彼此平行地延伸的第一交换导电线和第二交换导电线;以及单元边界部分,在第一逻辑单元区域和第二逻辑单元区域之间,其中第一参考导电线包括与单元边界部分间隔开并面对第二逻辑单元区域的第一末端部分,其中第二参考导电线包括从第一逻辑单元区域跨过单元边界部分延伸到第二逻辑单元区域中的第二末端部分,其中第一交换导电线包括与第一参考导电线共线地延伸并跨过单元边界部分延伸到第一逻辑单元区域中以面对第一末端部分的第一对应末端部分,并且其中第二交换导电线包括与第二参考导电线共线地延伸并与单元边界部分间隔开以面对第二末端部分的第二对应末端部分。
根据发明构思的另一方面,提供一种集成电路器件,该集成电路器件包括:第一型式逻辑单元(first version logic cell),包括在基板上的多条第一栅线以及在所述多条第一栅线上的第一多层布线结构并配置为执行第一功能;第二型式逻辑单元,在基板上与第一型式逻辑单元相邻,包括多条第二栅线以及在所述多条第二栅线上的第二多层布线结构并配置为执行第一功能;一对参考导电线,在第一多层布线结构中在最靠近所述多条第一栅线的第一层级处在第一方向上彼此平行地布置;以及一对交换导电线,在第二多层布线结构中在与第一层级相同的层级处在第一方向上彼此平行地布置,其中所述一对参考导电线和所述一对交换导电线当中的在不同的布线轨迹中的一个参考导电线和一个交换导电线具有相同的平面形状和相同的长度,并且其中所述一个参考导电线和所述一个交换导电线延伸从而分别与第一型式逻辑单元和第二型式逻辑单元之间的单元边界交叉。
附图说明
从以下结合附图的详细描述,发明构思的实施方式将被更清楚地理解,附图中:
图1是示出根据发明构思的实施方式的集成电路器件的示例单元块的平面图;
图2是包括在图1所示的集成电路器件的单元块中的第一型式逻辑单元和第二型式逻辑单元的布线结构的布局图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的