[发明专利]一种炉内新增热源的PECVD反应炉及其控制方法

权利要求书

1.一种炉内新增热源的PECVD反应炉，其特征在于：包括管状的炉体（1）、分别设于炉体两端的端盖（2）和炉门（3）、围绕在炉体外壁上的炉外加热装置、置于炉体腔内的炉内加热装置、以及控制炉外加热装置和炉内加热装置的温控装置；

所述炉内加热装置为红外加热管（4）；

所述红外加热管（4）为长条状，由所述端盖（2）处伸入炉体腔内，红外加热管与端盖之间设有密封构件，红外加热管与所述炉体（1）内壁之间设有支撑装置；

所述红外加热管（4）至少有一条、并且与所述炉体（1）的轴线平行，所述红外加热管安装在炉体腔内的底部、顶部、侧部中的一处或多处；

所述炉门（3）处设有检测炉门是否开启的检测装置，该检测装置连接所述温控装置。

2.一种如权利要求1所述的炉内新增热源的PECVD反应炉的控制方法，其特征在于具有以下步骤：

步骤一、对常温的反应炉进行加热，温控装置控制炉内加热装置和炉外加热装置一起加热，快速将反应炉内温度升到预定温度；

步骤二、打开炉门，温控装置控制炉内加热装置停止加热，将装有待工艺硅片的舟体送入反应炉内；

步骤三、关闭炉门，温控装置控制炉内加热装置和炉外加热装置一起加热，快速将反应炉内温度升到预定温度；

步骤四、炉内温度升到预定温度后停止炉外加热装置，对反应炉抽真空，实时监测反应炉内温度，控制炉内加热装置对装有待工艺硅片的舟体进行热量补偿；

步骤五、对反应炉内通入各种工艺气体，使用炉内加热装置加热抵消工艺气体引起的降温，对装有待工艺硅片的舟体进行恒温控制；

步骤六、工艺过程结束，打开炉门，温控装置控制炉内加热装置停止加热，将装有已工艺硅片的舟体移出反应炉，然后将装有待工艺硅片的舟体送入反应炉内，然后执行步骤三。

3.如权利要求2所述的炉内新增热源的PECVD反应炉的控制方法，其特征在于：所述步骤四中实时监测反应炉内温度，计算炉内温度与预定温度的温度差值，根据温度差值的大小相应的控制施加在炉内加热装置上的电压。