[发明专利]静电保护器件有效
| 申请号： | 201810502138.X | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108899314B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 陈卓俊;曾云;彭伟;金湘亮;张云;吴志强 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 保护 器件 | ||
1.一种静电保护器件，其特征在于，包括衬底，在所述衬底内设有深N阱，在所述深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，在所述第一N阱内从左到右依次设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区，所述第二N+注入区跨接在所述第一N阱与所述第一P阱之间，在所述第一P阱内依次设有第三N+注入区、第二P+注入区以及第四N+注入区，在所述第二N阱内依次设有第五N+注入区、第三P+注入区以及第六N+注入区，所述第五N+注入区跨接在第一P阱与所述第二N阱之间，所述第一N阱、所述第一P阱、以及所述第二N阱组成第一NPN型晶体管，所述第二N+注入区、所述第一P阱以及所述第三N+注入区组成第二NPN型晶体管；
其中，所述第二N+注入区与所述第五N+注入区跨接在所述第一N阱、所述第一P阱以及所述第二N阱之间，以使触发点由P阱-N阱结转移到P+注入区-N阱结，用于降低触发电压；
在所述第一P+注入区下方设有第二P阱，在所述第三P+注入区的下方设有第三P阱，所述第一N+注入区以及所述第一P+注入区均与阳极相连，所述第三P+注入区以及所述第六N+注入区均与阴极相连，以使所述静电保护器为Waffle式结构。
2.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述第一P+注入区、所述第一N阱以及所述第一P阱组成第一PNP型晶体管，所述第三P+注入区、所述第二N阱以及所述第一P阱组成第二PNP型晶体管。
3.根据权利要求2所述的静电保护器件，其特征在于，所述第二N阱、所述第一P阱以及所述第一N阱组成第三NPN型晶体管。
4.根据权利要求2所述的静电保护器件，其特征在于，所述第五N+注入区、所述第一P阱以及所述第四N+注入区组成第四NPN型晶体管。
5.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述衬底为P型衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
