[发明专利]一种圆片间纸基再布线方法有效
申请号: | 201810503374.3 | 申请日: | 2018-05-23 |
公开(公告)号: | CN108831840B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 朱智源;夏克泉;徐志伟 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 33200 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 郑海峰<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 介质层 纸基 导电填料 牺牲层 再布线 淀积 圆片 电镀金属 金属焊盘 纳米银浆 常规的 金属层 上开口 微加工 微波炉 硅片 光刻 焊盘 焊球 溅射 开孔 铅笔 贴装 涂抹 植入 填充 开口 图案 加工 | ||
1.一种圆片间纸基再布线方法,其特征在于包括如下步骤:
1)在硅片上淀积介质层,在介质层上开口;
2)介质层开口电镀金属焊盘;
3)用水溶性铅笔在纸上涂抹再布线图案得到纸基牺牲层,然后贴装到带有金属焊盘的介质层上;
4)再次淀积介质层,并在得到的介质层上开口;
5) 利用微波摧毁纸上涂抹有再布线图案的部分,并且在摧毁部分填充导电填料;
6)在步骤4)得到的开口处植入焊球。
2.根据权利要求1所述的圆片间纸基再布线方法,其特征在于所述的步骤5)的导电填料为纳米银浆。
3.根据权利要求1所述的圆片间纸基再布线方法,其特征在于所述的步骤1)的介质层为二氧化硅介质层,厚度为0.8-1.2μm。
4.根据权利要求1所述的圆片间纸基再布线方法,其特征在于所述的步骤1)和步骤4)中的开口方式均为采用深刻蚀的方式刻蚀出开口作为金属焊盘窗口。
5.根据权利要求1所述的圆片间纸基再布线方法,其特征在于所述的步骤4)的介质层为二氧化硅介质层,厚度为0.5μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810503374.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造