[发明专利]一种圆片间纸基再布线方法有效

专利信息
申请号: 201810503374.3 申请日: 2018-05-23
公开(公告)号: CN108831840B 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 朱智源;夏克泉;徐志伟 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 33200 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 郑海峰<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 介质层 纸基 导电填料 牺牲层 再布线 淀积 圆片 电镀金属 金属焊盘 纳米银浆 常规的 金属层 上开口 微加工 微波炉 硅片 光刻 焊盘 焊球 溅射 开孔 铅笔 贴装 涂抹 植入 填充 开口 图案 加工
【说明书】:

发明公开了一种圆片间纸基再布线方法。1)在硅片上淀积介质层,在介质层上开口;2)介质层开口电镀金属焊盘;3)用水溶性铅笔在纸上涂抹形成图案,然后贴装到带有金属焊盘的介质层上;4)再次淀积介质层,并光刻开孔;5)利用微波炉摧毁纸基牺牲层,并且填充导电填料6)植入焊球。本发明采用纸作为牺牲层,并利用纳米银浆作为导电填料,避免了常规的溅射金属层等昂贵的微加工手段,降低了加工成本。

技术领域

本发明属于微电子机械系统,具体为一种圆片间纸基再布线方法。

背景技术

再布线是圆片级封装的关键工艺步骤。通常来说,IC芯片与外部的电气连接是用金属引线键合的方式把芯片上的i/o(输入端口、输出端口)与封装载体连接并经封装引脚来实现的。在这一模式下,IC芯片上的I/O通常分布在周边上。但是,随着IC芯片特征尺寸的减小和集成规模的扩大,引脚之间的间距不断减小、数量不断增大。当I/O间距减小,引线键合技术就不再适用,必须寻求新的技术途径。为了解决这一问题,圆片级封装采用了再布线技术。

再分布技术是指在IC上,将各个芯片按周边分布的I/O招煌区,通过再布线层(Redistribution Layer,RDL),变换成阵列分布区或其他需要的分布图形旳捧区并最终形成焊料凸点的技术。然而,目前已有的再布线技术工艺较为复杂(例如需要用到金属溅射工艺),成本较高。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种圆片间纸基再布线方法

本发明的技术方案如下:

一种圆片间纸基再布线方法包括如下步骤:

1)在硅片上淀积介质层,在介质层上开口;

2)介质层开口电镀金属焊盘;

3)用水溶性铅笔在纸上涂抹再布线图案得到纸基牺牲层,然后贴装到带有金属焊盘的介质层上;

4)再次淀积介质层,并在得到的介质层上开口;

5)利用微波摧毁纸上涂抹有再布线图案的部分,并且在摧毁部分填充导电填料;

6)在步骤4)光刻开孔处植入焊球。

普通的纸张很难吸收微波,用水溶性铅笔在纸上涂抹形成图案,该图案能够吸收微波,进而摧毁纸张上画图案的部分(牺牲层)。而具体画什么样的图案(牺牲层的布线过程),则是要根据芯片的设计,以及布放位置来确定。

优选的,所述的步骤5)的导电填料为纳米银浆。

优选的,所述的步骤1)的介质层为二氧化硅介质层,厚度为0.8-1.2μm。

优选的,所述的步骤1)和步骤4)中的开口方式均为采用深刻蚀的方式刻蚀出开口作为金属焊盘窗口。

优选的,所述的步骤4)的介质层为二氧化硅介质层,厚度为0.5μm。

本发明与现有技术相比,所具有的有益效果为:采用纸作为牺牲层,并利用纳米银浆作为导电填料,避免了常规的溅射金属层等昂贵的微加工手段,降低了加工成本。

附图说明

图1为硅片表面设置介质层示意图;

图2为介质层开口电镀金属焊盘示意图;

图3为贴装纸基示意图;

图4为纸基上淀积介质层示意图;

图5为填充导电填料示意图;

图6为植入焊球示意图。

图7为典型WLP中再布线结构示意图。

具体实施方式

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