[发明专利]一种冗余图形添加方法

说明书

本发明公开一种冗余图形添加方法，包括：步骤S1：预定义冗余图形大小、间距，以及偏移；步骤S2：计算填充区域；步骤S3：冗余图形添加；步骤S4：将添加冗余图形后的版图按照m×n大小切割；步骤S5：计算各切割窗口内冗余图形密度；步骤S6：计算各切割窗口内冗余图形和原始图形的图形密度和与密度目标值之间的差值；步骤S7：以上述差值为冗余图形补偿值，计算各切割窗口冗余图形改变比率；步骤S8：对各切割窗口内添加的冗余图形按照改变比率进行缩小或者放大处理。本发明不仅能够将各切割窗口之间的密度梯度降低到合理的程度，而且极大的改善了各添加窗口内的冗余图形分布，避免了添加窗口内的冗余图形分布不均，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种冗余图形添加方法。

背景技术

为了实现集成电路版图的均匀分布，以提高生产制造过程中依赖版图图形分布的相关工艺的工艺窗口，通常需要在版图设计定案后对图形分布稀疏区域进行冗余图形添加。

设计规则制定者即半导体制造工厂通常在设计规则中预先定义各层次冗余图形的形状、大小以及间隔并提供相应添加程序。

冗余图形通常在集成电路设计端由设计者在产品版图设计定案后使用半导体制造工厂提供的冗余图形添加程序进行添加或者在制造端由半导体制造工厂在生成光罩之前进行添加。

请参阅图4～图5，并结合参阅图6～图8，图4所述为现有冗余图形之第一添加方法流程图。图5所述为现有冗余图形之第二添加方法流程图。图6所示为原始版图结构示意图。图7所示为所述原始版图通过第一添加方法添加冗余图形后结构示意图。图8所示为所述原始版图通过第二添加方法添加冗余图形后结构示意图。其中，所述第一添加方法是在满足冗余图形设计规则的前提下最大限度的添加，这种添加方式往往会造成添加区域密度偏高，超出目标值，并且这种添加方式不能将相邻区域之间的密度梯度降到最低，如图7所示。

所述第二添加方法是在所述第一添加方法的基础上改进后的添加方式，在最大添加结束后，按照指定的规则，如密度的目标值或者密度范围，以及相邻填充区域的密度梯度限制等来调整添加冗余图形的数量，以此达到相邻添加区域之间的密度梯度。虽然所述第二添加方式可以最大限度的满足相邻添加区域之间的密度梯度，但是添加区域内部的冗余图形分布容易产生不均，造成添加区域内的局部密度梯度过大，如表1及图8所示，进而导致在后续工艺加工过程中产生制造缺陷，影响产品良率。

表1原始版图及冗余图形添加后不同添加区域密度及密度梯度对比

故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种冗余图形添加方法。

发明内容

本发明是针对现有技术中，传统冗余图形添加方法往往会造成添加区域密度偏高，超出目标值，并且不能将相邻区域之间的密度梯度降到最低，或者即使可以最大限度的满足相邻添加区域之间的密度梯度，但是添加区域内部的冗余图形分布又容易产生不均，造成添加区域内的局部密度梯度过大，进而导致在后续工艺加工过程中产生制造缺陷，影响产品良率等提供一种冗余图形添加方法。

为实现本发明之目的，本发明提供一种冗余图形添加方法，所述冗余图形添加方法，包括：执行步骤S1：预定义冗余图形大小、间距，以及偏移；执行步骤S2：计算填充区域；执行步骤S3：冗余图形添加；执行步骤S4：将添加所述冗余图形后的版图按照预设窗口m×n大小进行切割；执行步骤S5：计算各切割窗口内冗余图形密度；执行步骤S6：计算各切割窗口内冗余图形和原始图形的图形密度和与密度目标值之间的差值；执行步骤S7：以所述各切割窗口内冗余图形和原始图形的图形密度和与密度目标值之间的差值为冗余图形补偿值，计算各切割窗口冗余图形密度改变量，进而获得冗余图形的缩小或放大之改变比率；执行步骤S8：对各切割窗口内添加的冗余图形按照所述冗余图形之改变比率进行缩小或者放大处理。