[发明专利]一种土豆地膜覆盖垄上微沟穴播的栽培方法

说明书

本发明公开了一种土豆地膜覆盖垄上微沟穴播的栽培方法，本发明栽培方法改传统的弓型垄面为凹型垄面，即在大垄中间开微沟，将大垄面分成2个对等的小垄面，解决了降雨资源的有效集纳和高效利用，同时改侧播为垄脊穴播，增加了耕作层熟土厚度和薯块生长空间，提高了产量和商品薯率；在土豆播种时使用土豆点播器进行土豆的点播，这种点播方法可有效减轻对地膜的人为损伤，保持膜面干净，提高工作效率；本发明方法集蓄水增温于一体，增产增收效果显著，技术流程简单，方便实施推广，进一步提高了土豆的质量与产量。

技术领域

本发明涉及种植技术领域，尤其涉及一种土豆地膜覆盖垄上微沟穴播的栽培方法。

背景技术

我国是农业大国，土豆种植面积较大。随着社会的不断发展，人们的生活质量逐渐提升，对土豆质量要求越来越高。近年来，一些种植机构对土豆的质量产量要求越来越高，当今市场中的土豆已经不能满足人们的使用需求，这对我国农业发展来说造成了很大的影响。近年来，我国农业发展迅速，土豆种植技术不断创新、完善。然而，土豆在实际种植中常常会因为多种原因导致土豆的产量与质量提不上去，造成这一问题的原因主要有以下几点：（1）施肥不合理：土豆在种植期间，一些农民主要通过动物的粪便进行施肥，没有做好肥量的控制工作，从而导致营养不够充分；（2）浇水不科学：农民对土豆地浇水过于频繁，导致土壤中的营养成分流失，这对土豆的正常生长造成了很大的影响，由于浇水不合理，使下地虫害活动猖獗，导致土豆出现黑皮、黄皮等现象；（3）种植技术落后：在土豆实际种植期间农民没有意识到合理应用种植技术的重要性，常常出现早播、不浇水、不管理、提前收等现象，这对土豆的正常生长造成了很大的影响，并在一定程度上降低了土豆的产量与质量。这就需要研究出更加合理的土豆栽培方法，以提升土豆的产量与质量。

发明内容

本发明目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种土豆地膜覆盖垄上微沟穴播的栽培方法。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种土豆地膜覆盖垄上微沟穴播的栽培方法，包括以下具体步骤：

（1）选择地势平坦、土层深厚、土质疏松、肥力中上等，前茬以禾谷类、豆类为好，深耕除草后对土壤进行处理，清理地下害虫，用产量高、品质好、抗病、抗逆性强，以脱毒种薯为主的中晚熟品种，选择健壮的种薯，晒种2-3天后切块，切块重量30-50g，每个切块上需带1-2个芽眼，最后将切块进行处理后即可播种；

（2）早春土壤解冻后给土壤施用复合肥料，在3月中旬划行起垄，依次划垄沟与大垄，成“凹”字形浅沟，起垄后，沿边线开深5-8cm的浅沟，选厚0.01mm以上、宽120cm的黑色地膜全地面覆膜，将地膜一边置于浅沟内用土压实，每隔2-3m横压土腰带，覆膜后在大、小垄沟内每隔50cm适时打渗水孔，渗水孔径小于3mm，打孔时谨防孔口撕裂，于4月上旬至下旬进行播种，用土豆点播器在大垄的2个小垄上按“品”字形点播，播深10-15cm；

（3）苗期注意田间管理，注意及时补苗，在施肥过程中注意多施钾含量高的磷酸二氢钾肥料，同时平均每亩施加80-100kg的化肥配合100-200kg的活性菌生物有机肥进行复配，同时注意虫害的防治，及时适量浇水；

（4）当田间70%以上植株枯黄成熟时，提前3-5天割除地上茎叶，防止病害传染薯块，然后及时收获，除去病薯、伤薯和畸形薯，摊开晾晒2-3天后，按薯块大小分级贮存上市；并彻底清除废膜和病株残体，集中统一处理或焚烧深埋，防止土地污染，保证耕地质量。

所述的一种土豆地膜覆盖垄上微沟穴播的栽培方法，步骤（1）所述的对土壤进行处理，具体操作为：每公顷用5%毒死蜱38-40kg兑水10-15kg、2.5%氯氟氰菊酯0.3kg兑水15-40kg，拌细沙土400-450kg制成毒土，顺垄条施，用于防治地下害虫。