[发明专利]一种像素电极的制备方法、像素电极和显示面板

权利要求书

1.一种像素电极的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基底，在所述基底上依次沉积透明导电层和金属薄膜层；

在所述金属薄膜层上涂布光阻材料，图案化处理并在像素区形成依次交替设置的多个第一光阻层和多个第二光阻层，所述第一光阻层的厚度小于所述第二光阻层的厚度，刻蚀非像素区的所述金属薄膜层和所述透明导电层至暴露所述基底；

对所述第一光阻层和所述第二光阻层进行灰化处理，去除所述第一光阻层，并将所述第一光阻层覆盖的所述金属薄膜层氧化形成第一透明金属氧化物层；

部分灰化所述第二光阻层，使所述第二光阻层两端都缩短距离X以使所述金属薄膜层部分暴露，刻蚀部分暴露的所述金属薄膜层及下方的所述透明导电层，使所述透明导电层形成交替间隔设置的第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一透明导电层与所述第一透明金属氧化物层构成第一支电极；

剥离所述部分灰化的所述第二光阻层，并将暴露的所述金属薄膜层氧化形成第二透明金属氧化物层，所述第二透明导电层与所述第二透明金属氧化物层构成第二支电极，所述第一支电极和所述第二支电极交替间隔设置，所述间隔的宽度大小为距离X。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述金属薄膜层上涂布光阻材料，图案化处理并在像素区形成依次交替设置的多个第一光阻层和多个第二光阻层的过程还包括形成第三光阻层，灰化所述第三光阻层并刻蚀以形成像素边框结构和/或像素主干结构。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一支电极与所述第二支电极的宽度大小相等。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一支电极和所述第二支电极的截面形状包括矩形、平行四边形或其他形状。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述透明导电层的材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物和铟镓锌氧化物中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属薄膜层的材质包括铝。

7.一种像素电极，其特征在于，包括：基底，和设置在所述基底的像素区上的多个支电极，所述多个支电极包括交替间隔设置的第一支电极和第二支电极构成，所述第一支电极包括依次层叠在所述基底上的第一透明导电层和第一透明金属氧化物层，所述第二支电极包括依次层叠在所述基底上的第二透明导电层和第二透明金属氧化物层；所述第一支电极和所述第二支电极间隔的宽度大小为距离X，所述距离X的宽度大小为0.5-2μm；所述像素电极由权利要求1-6任意一项所述的制备方法制得，所述金属氧化物为氧化铝。

8.如权利要求7所述的像素电极，其特征在于，还包括像素边框和/或像素主干，所述第一支电极与所述像素边框和/或像素主干相连，所述第二支电极与所述像素边框和/或像素主干相连。