[发明专利]一种像素电极的制备方法、像素电极和显示面板

说明书

本发明提供了一种像素电极的制备方法，该制备方法简单高效，成本低，可用于大规模工业化生产。本发明还提供了一种的像素电极，包括：基底，和设置在所述基底的像素区上的多个支电极，所述多个支电极包括交替间隔设置的第一支电极和第二支电极构成，所述第一支电极包括依次层叠在所述基底上的第一透明导电层和第一透明金属氧化物层，所述第二支电极包括依次层叠在所述基底上的第二透明导电层和第二透明金属氧化物层。该像素电极具有高穿透率和高解析度。本发明还提供了一种显示面板。

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种像素电极的制备方法、像素电极和显示面板。

背景技术

随着薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)的应用越来越广泛，人们对液晶显示器的显示效果(如分辨率)要求也不断提高。其中，像素电极的穿透率和解析度高低对液晶显示器的显示效果具有重要影响。

受设备(例如曝光机的解析度，光阻的解析度)限制，传统工艺制备的如RGB条纹(Stripe)排列的像素电极的结构中的支电极宽度(Line)，以及支电极与支电极间的间隔宽度(Space)有限，目前的主流设计只能做到Line/Space在4/2μm～3/3μm之间，造成像素电极整体的穿透率和解析度不能更进一步地提高，严重束缚提高液晶显示器的高分辨率、高质量的显示效果。然而，使用更高解析度的曝光机和更高解析度的光阻既大大增加了生产成本，又不能大规模生产。

因此，有必要提出一种像素电极的制备方法，以提高像素电极的穿透率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种像素电极的制备方法、像素电极和显示面板，该制备方法简便高效，成本低，制备得到的像素电极具有高穿透率和高解析度。

第一方面，本发明提供了一种像素电极的制备方法，包括：

提供一基底，在所述基底上依次沉积透明导电层和金属薄膜层；

在所述金属薄膜层上涂布光阻材料，图案化处理并在像素区形成依次交替设置的多个第一光阻层和多个第二光阻层，所述第一光阻层的厚度小于所述第二光阻层的厚度，刻蚀非像素区的所述金属薄膜层和所述透明导电层至暴露所述基底；

对所述第一光阻层和所述第二光阻层进行灰化处理，去除所述第一光阻层，并将所述第一光阻层覆盖的所述金属薄膜层氧化形成第一透明金属氧化物层；

部分灰化所述第二光阻层，使所述第二光阻层两端都缩短距离X以使所述金属薄膜层部分暴露，刻蚀部分暴露的所述金属薄膜层及下方的所述透明导电层，使所述透明导电层形成交替间隔设置的第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一透明导电层与所述第一透明金属氧化物层构成第一支电极；

剥离所述部分灰化的所述第二光阻层，并将暴露的所述金属薄膜层氧化形成第二透明金属氧化物层，所述第二透明导电层与所述第二透明金属氧化物层构成第二支电极，所述第一支电极和所述第二支电极交替间隔设置，所述间隔的宽度大小为距离X。

可选地，所述在所述金属薄膜层上涂布光阻材料，图案化处理并在像素区形成依次交替设置的多个第一光阻层和多个第二光阻层的过程还包括形成第三光阻层，灰化所述第三光阻层并刻蚀以形成像素边框结构和/或像素主干结构。

可选地，所述第一支电极与所述第二支电极的宽度大小相等。

可选地，所述第一支电极和所述第二支电极的截面形状包括矩形、平行四边形或其他形状。

可选地，所述透明导电层的材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物和铟镓锌氧化物中的一种或多种。

可选地，所述金属薄膜层的材质包括铝。