[发明专利]一种高热膨胀高强度陶瓷封装材料及其制备方法有效
申请号: | 201810507526.7 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN108424132B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 李波;边海勃 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C04B35/14 | 分类号: | C04B35/14 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 甘茂 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高热 膨胀 强度 陶瓷封装 材料 及其 制备 方法 | ||
本发明属于电子陶瓷封装材料领域,具体提供一种高热膨胀高强度陶瓷封装材料及其制备方法,应用于集成电路芯片的陶瓷封装,特别适用于陶瓷球栅阵列封装。本发明采用低温共烧工艺,其制备工艺简单,原材料绿色环保不含RoHS中限定污染物质,材料性能稳定;针对特定封装环境条件,形成热膨胀系数固定的封装材料。本发明提供高热膨胀高强度陶瓷封装材料介电性能优良:介电常数6~7,介电损耗小<1.0×10‑3,抗弯强度为190‑210MPa,杨氏模量高达70‑80GPa,热膨胀系数为11~12×10‑6/℃;为大规模集成电路的制造提供了一种极好的封装材料,将来能够与热膨胀系数为11~12×10‑6/℃的新型PCB板热匹配性能良好。通过添加MnO,封装材料的热膨胀系数被控制在11‑12×10‑6/℃之间,且封装材料的强度得到显著的提升。
技术领域
本发明属于电子陶瓷封装材料领域,涉及一种高热膨胀高强度陶瓷封装材料及其制备方法及其制备方法,应用于集成电路芯片的陶瓷封装,特别适用于陶瓷球栅阵列(CBGA)封装。
背景技术
随着以电子计算机为核心、集成电路产业为基础的现代信息产业的发展,以及便携式通讯系统对电子产品的迫切需求,电子产业得到了迅猛发展,同时也带动了与之密切相关的电子封装的发展。所谓封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳,起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用,而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁--芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此,封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用。
从封装技术的发展来讲,主要经历了芯片针脚由少到多和针脚变焊球的过程;现阶段的主流封装技术是BGA(Ball Grid Array)封装;而根据封装材料及结构和键合方式的不同又分为四大类,即塑料球栅阵列PBGA、陶瓷球栅阵列CBGA、陶瓷圆柱球栅阵列CCGA、载带球栅阵列TBGA;其中封装材料作为是封装技术的重要组成,为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效。陶瓷封装材料以其优良的电学、机械、热学及工艺特性,满足高频、数字、射频和微波器件的单芯片封装或多芯片组装的技术要求,在各类得到电子设备中得到了广泛应用。但在目前的陶瓷封装材料中仍存在着,材料制备工艺复杂,封装材料与电极材料热匹配性差,封装材料原料具有污染性等缺点。
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