[发明专利]OPC数据收集方法及OPC数据收集装置

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种OPC数据收集方法及OPC数据收集装置。所述OPC数据收集方法，包括如下步骤：提供一版图，所述版图中包括多个图形模块，每个图形模块中包括多个图形；定义一个参考点于所述版图；获取所有图形模块中的待量测图形相对于所述参考点的位置信息。本发明大大提高了待量测图形位置计算的效率，简化了OPC数据收集方式，缩短了OPC数据收集时间。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种OPC数据收集方法及OPC数据收集装置。

背景技术

随着半导体制造技术的不断成熟发展，当集成电路的关键特征尺寸降到一定程度时，例如，当芯片的特征尺寸降低到小于光刻光源的波长时，由于衍射和干涉效应导致晶圆上的图形与掩膜版上的图形出现不同程度的变形和偏差，这种现象称为光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。

为了抵消光刻过程中光学邻近效应的影响，一种有效的方法是光学邻近修正(Optical Proximity Correction，OPC)，使形成在掩膜版上的图形是经过光学邻近修正后的图形。之后将掩膜版上的图形转移到光刻胶层上时，就会因光学邻近效应而得到理想的图形。在OPC方法中，需要采用测试掩膜版在晶圆表面进行曝光处理，通过测量实际曝光后在晶圆上所获得的曝光图形的尺寸，来获得测试数据(即OPC数据收集)，为后续建立OPC模型奠定基础。

在OPC过程中，往往需要量测晶圆上大量的曝光图形尺寸，而曝光图形在晶圆上构成大量的重复图形模块。现有技术中，为了获得OPC数据，一般是对每一个重复的图形模块定义一个原点，然后根据该图形模块中需要量测的图形相对于该原点的位置对该图形进行定位捕捉。由于重复图形模块的数量巨大，这样的定位捕捉方式不仅工作量巨大、费时费力，还易造成数据的混淆，影响最终的校正结果。

因此，如何高效、准确的获取OPC数据，提高光刻工艺的效率，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种OPC数据收集方法及OPC数据收集装置，用以解决现有的OPC数据收集效率低的问题，进而提高晶圆光刻工艺的效率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种OPC数据收集方法，包括如下步骤：

提供一版图，所述版图中包括多个图形模块，每个图形模块中包括多个图形；

定义一个参考点于所述版图；

获取所有图形模块中的待量测图形相对于所述参考点的位置信息。

优选的，定义一个参考点于所述版图的具体步骤包括：

获取目标曝光区域的位置信息，所述目标曝光区域包括多个待量测图形；

定义一个参考点于所述目标曝光区域内。

优选的，定义一个参考点于所述目标曝光区域内的具体步骤包括：

定义一个参考点于所述目标曝光区域的边缘。

优选的，获取所有图形模块中的待量测图形相对于所述参考点的位置信息的具体步骤包括：

获取待量测图形在所述版图的位置信息；

计算所述待量测图形相对于所述参考点的坐标，所述待量测图形相对于所述参考点的坐标是根据所述参考点在所述版图中的位置信息与所述待量测图形在所述版图中的位置信息计算得到的。

优选的，获取待量测图形在所述版图中的位置信息的具体步骤包括：

获取所述待量测图形所在的目标图形模块在所述版图中的位置信息、以及所述待量测图形相对于所述目标图形模块的位置信息；