[发明专利]一种显示装置及该显示装置的薄膜晶体管的修补检测方法有效
申请号: | 201810516614.3 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN108598094B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 何孟修 | 申请(专利权)人: | 友达光电(昆山)有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/66 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 薄膜晶体管 修补 检测 方法 | ||
本发明公开一种显示装置及其薄膜晶体管的修补检测方法,其中,显示装置包含多个薄膜晶体管、闸极线、数据线以及修补检测电路。修补检测电路包含第一检测垫、第二检测垫、第三检测垫、第一检测金属线以及第二检测金属线,第一检测金属线连接于第二检测垫,第二检测金属线具有第一支线、检测金属垫与第二支线,第一支线连接第一检测垫与检测金属垫,第二支线连接第三检测垫与检测金属垫,且检测金属垫与第一检测金属线于一垂直方向上有重叠区域。其中,第一检测金属线的宽度与闸极线的宽度相同,且检测金属垫的宽度与数据线的宽度相同。本发明的能够实时地监控激光修补状态,并根据监控结果调整激光能量,从而确保修补成功率。
技术领域
本发明涉及一种显示装置,也涉及一种显示装置的薄膜晶体管的修补检测方法。
背景技术
随着显示装置制造技术的提升,提供大尺寸、高解析度、高亮度的显示装置已非难事,而在生产制造过程中,除了提高产品的品质及较佳的规格外,良好的品管亦是提高整体合格率的重要环节。
显示装置一般在制作主动元件阵列基板的过程中,会进行检查程序以检测出缺陷(Defect)所在,并对此缺陷进行激光修补加工。现有的激光修补技术可在适当的能量下将金属残膜砍断却不伤到下方的绝缘层,以修补膜层之间短路类的缺陷。但是,当激光能量不稳定或不适宜时,其在缺陷处形成的修补线可能无法达成修补的目的,进而导致修补动作失败。而且,金属膜层短路缺陷的修补失败无法被在线工作人员实时检出,而是直至后续的导电玻璃层量测后才能确认修补结果。于进行上述量测阻值动作的同时,许多因激光能量不佳而导致修复失败的主动元件阵列基板已续流至后段加工中,造成后段加工的人力与物料的浪费。
承上述,如何在激光修补加工中,实时地监控激光修补能量是否适宜,以使激光修补失败的问题被及时地发现,而降低修补失败的主动元件阵列基板续留至后段加工中的机率,实为研发者所欲解决的问题之一。
发明内容
本发明的实施例的显示装置,包含多个薄膜晶体管、闸极线、数据线以及修补检测电路。每一该些薄膜晶体管具有一闸极电极、一源极电极与一汲极电极,闸极线耦接于其一的该些薄膜晶体管的该闸极电极,数据线耦接于其一的该些薄膜晶体管的该汲极电极或该源极电极。修补检测电路包含第一检测垫、第二检测垫、第三检测垫、第一检测金属线以及第二检测金属线,第一检测金属线连接于该第二检测垫,第二检测金属线具有第一支线、检测金属垫与第二支线,该第一支线连接该第一检测垫与该检测金属垫,该第二支线连接该第三检测垫与该检测金属垫,且该检测金属垫与该第一检测金属线于一垂直方向上有重叠区域。其中,该第一检测金属线的宽度与该闸极线的宽度相同,且该检测金属垫的宽度与该数据线的宽度相同。
上述的显示装置的一实施方式中,该第一检测金属线与该闸极线的材料相同,且该检测金属垫与该数据线的材料相同。
上述的显示装置的一实施方式中,该第一检测金属线与该闸极线为同一道光罩而制成,且该检测金属垫与该数据线为同一道光罩而制成。
上述的显示装置的一实施方式中,该检测金属垫具有一开口。
本发明的实施例提供另一种显示装置,包含基板、第一金属层、绝缘层、第二金属层、薄膜晶体管以及修补检测电路。第一金属层设置于该基板,绝缘层设置于该第一金属层,第二金属层设置于该绝缘层,使得该绝缘层位于该第一金属层与该第二金属层之间,薄膜晶体管包含闸极电极、源极电极与汲极电极,该闸极电极形成于该第一金属层,该源极电极与该汲极电极分别形成于该第二金属层。修补检测电路包括第一检测垫、第二检测垫、第三检测垫、第一检测金属线以及第二检测金属线。第一检测垫、第二检测垫以及第三检测垫分别设置于该基板,第一检测金属线形成于该第一金属层,其中该第一检测金属线与该第二检测垫电连接,该第一检测金属线与该闸极电极为彼此绝缘结构,第二检测金属线形成于该第二金属层,其中该第二检测金属线分别与该第一检测垫、该第三检测垫电连接,该第二检测金属线与该源极电极、该汲极电极为彼此绝缘结构。其中,该第二检测金属线与该第一检测金属线具有一交叉部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的