[发明专利]一种掩模版及制备方法在审
| 申请号： | 201810521952.6 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108796434A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 张粲;王灿 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/24;C23C14/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜版 掩模图形 掩模版 支撑结构 硅基 制备 均匀布置 受力不均 整体受力 延伸面 支撑力 保证 下垂 受力 支撑 破碎 | ||
1.一种掩模版，包括本体以及形成于所述本体上的掩模图形，所述本体采用硅基制备，其特征在于，还包括形成于所述本体上的多个支撑结构，所述多个支撑结构均匀布置在所述本体上、且位于所述掩模图形所围成的区域内，用于支撑所述本体及掩模图形。
2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，沿所述本体的厚度方向，所述支撑结构远离所述掩模图形的端面至多与所述本体的端面平齐。
3.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述支撑结构远离所述掩模图形的一端设有坡面，所述坡面与所述本体的厚度方向成设定角度。
4.根据权利要求3所述的掩模版，其特征在于，所述设定角度满足下列公式：
tanθ＝H/(D1+D2)；
其中，所述θ为所述设定角度；
所述H为蒸发源到所述掩模版的距离；
所述D1为蒸发源到蒸发腔室中心点的距离；
所述D2为与所述支撑结构最近的掩模图形所对应的像素开口到蒸发腔室中心点的距离。
5.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述支撑结构的数目为N，N≥2。
6.根据权利要求5所述的掩模版，其特征在于，所述支撑结构的宽度为0.4mm-0.725mm。
7.一种权利要求1-6任一项所述的掩模版的制备方法，其特征在于，包括：
沿本体的一个端面形成掩模图形；
沿本体的另一端面形成支撑结构。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述本体包括第一硅基和第二硅基，所述第一硅基和第二硅基键合而成。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述掩模图形在所述第一硅基上刻蚀形成，所述支撑结构在所述第二硅基上刻蚀形成。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，还包括研磨支撑结构以形成坡面，所述坡面与所述本体的厚度方向成设定角度，所述设定角度满足下列公式：
tanθ＝H/(D1+D2)；
其中，所述θ为所述设定角度；
所述H为蒸发源到所述掩模版的距离；
所述D1为蒸发源到蒸发腔室中心点的距离；
所述D2为与所述支撑结构最近的掩模图形所对应的像素开口到蒸发腔室中心点的距离。
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