[发明专利]DSA通孔层三重模式分解的离散松弛法在审
申请号: | 201810522256.7 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN108733936A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 朱文兴;陈建利;李兴权 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 松弛 模式分解 松弛法 通孔层 求解 下界 整数线性规划 掩模板设计 模板设计 布局图 引入 权重 上界 加权 修正 分组 冲突 转化 合法 | ||
本发明涉及一种DSA通孔层三重模式分解的离散松弛法。该方法通过构造一个加权冲突分组图,引入负权重的边,然后提出了一个基于掩模板设计的离散松弛问题;用整数线性规划(ILP)公式来求解离散松弛问题,求得该问题最优值的下界;为了改善下界,引入一些有效的不等式来修正一些不好的松弛问题的解;最后,通过求解布局图上的模板设计问题,将得到的离散松弛解转化为原问题的合法解,从而为原问题的最优值提供了一个上界。
技术领域
本发明涉及一种DSA通孔层三重模式分解的离散松弛法,通过构造一个加权冲突分组图,引入负权重的边,然后提出了一个基于掩模板设计的离散松弛问题;用整数线性规划(ILP)公式来求解离散松弛问题,求得该问题最优值的下界;为了改善下界,引入一些有效的不等式来修正一些不好的松弛问题的解;最后,通过求解布局图上的模板设计问题,将得到的离散松弛解转化为原问题的合法解,从而为原问题的最优值提供了一个上界。
背景技术
随着间距尺寸的减小和节点数量的增加,集成电路(IC)布局的制造越来越困难。这促使一系列制造技术,如193纳米浸没光学光刻和相关的多重光刻技术,电子束光刻技术,嵌段共聚物的定向自组装和极紫外光刻技术。集成电路布局由模式线条和孔组成。这些线定义了有源器件区域,栅电极以及器件之间的布线。这些孔定义了导线和晶体管之间的电气通孔。上述一些制造技术普遍用于线条特征的布局,但DSA技术适用于密集通孔的模式。特别是在7nm节点上,接触/通孔层上的特征分布密集且对齐,因此DSA技术是必要的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种DSA通孔层三重模式分解的离散松弛法,通过构造一个加权冲突分组图,引入负权重的边,然后提出了一个基于掩模板设计的离散松弛问题;用整数线性规划(ILP)公式来求解离散松弛问题,求得该问题最优值的下界;为了改善下界,引入一些有效的不等式来修正一些不好的松弛问题的解;最后,通过求解布局图上的模板设计问题,将得到的离散松弛解转化为原问题的合法解,从而为原问题的最优值提供了一个上界。
为实现上述目的,本发明的技术方案是:一种DSA通孔层三重模式分解的离散松弛法,包括如下步骤:
步骤S1、构造一个加权冲突分组图,其中引入负权重的边,然后提出一个基于掩模板分配的离散松弛问题;
步骤S2、用整数线性规划ILP公式来求解离散松弛问题,求得该离散松弛问题最优值的下界;
步骤S3、为了改善下界,引入有效的不等式来修正离散松弛解;
步骤S4、通过求解布局图上的模板分配问题,将得到的离散松弛解转化为DSA的三重模式的掩模板和模板设计问题合法解,从而为DSA的三重模式的掩模板和模板设计问题的最优值提供了一个上界。
在本发明一实施例中,在冲突分组图CGG中,由冲突边连接的两个通孔应分配给不同的掩模板,或者由MTADT的模板分组;为了减少使用掩模板的冲突和总成本,需确定通孔、冲突边是否应分组,此处通过加权来区分冲突边,然后构造加权冲突分组图WCGG;为处理分组,引入一个负权重的边,具体定义如下:
令通孔i和j之间的边eij∈E的加权规则设置为
其中,E表示加权冲突分组图WCGG中的所有边的集合;Ec表示加权冲突分组图WCGG中的冲突边的集合;Eg表示加权冲突分组图WCGG中的分组边的集合;En表示加权冲突分组图WCGG中的负边的集合;
根据上面的加权规则,可知:
1)如果通孔i1,i2被设计到相同的掩模板,并且则通孔之间存在冲突,并且边成本为1.0;
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