[发明专利]一种半导体管保护电路及方法

权利要求书

1.一种半导体管保护电路，其特征在于，包括电源电压、负载电路、稳压电路和半导体管；

所述电源电压和所述负载电路的高电势端连接；

所述负载电路的低电势端和所述稳压电路的高电势端连接，所述稳压电路的低电势端接地；

所述半导体管的高电势端和所述稳压电路的高电势端连接，所述半导体管的低电势端接地；

所述稳压电路包括稳压单元、继电器、晶体管；所述晶体管的基极与所述半导体管的漏极连接，所述晶体管的集电极与所述负载电路的低电势端连接，所述晶体管的发射极接地；所述稳压单元和所述继电器并联；所述稳压单元的高电势与所述负载电路的低电势端连接，所述稳压单元的低电势接地；所述稳压单元包括至少两个稳压子单元，相连两个所述稳压子单元串联连接，所述稳压子单元包括一个稳压二极管和一个均压电阻，且稳压二极管和均压电阻并联；所述均压电阻的阻值小于所述稳压二极管反向的电阻值。

2.根据权利要求1所述的一种半导体管保护电路，其特征在于，所述继电器为常开型继电器。

3.根据权利要求1所述的一种半导体管保护电路，其特征在于，所述晶体管为N型晶体管。

4.根据权利要求1所述的一种半导体管保护电路，其特征在于，所述负载电路呈感性。

5.一种半导体管保护方法，基于权利要求4的一种半导体管保护电路，其特征在于，包括以下步骤：

S1，在电路中加入所述稳压二极管进行引流，向系统地引流走所述继电器开启后的产生的大部分瞬时电压；

S2，在所述继电器和所述半导体管中间加入所述晶体管，利用所述晶体管集电极聚集电量，稳定电压，缓冲流向所述半导体管的电压。

6.一种半导体管保护方法，基于权利要求4的一种半导体管保护电路，其特征在于，包括以下步骤：

S10，在电路中加入所述稳压单元进行引流，向系统地引流走所述继电器开启后的产生的大部分瞬时电压；

S20，在所述继电器和所述半导体管中间加入所述晶体管，利用所述晶体管集电极聚集电量，稳定电压，缓冲流向所述半导体管的电压。