[发明专利]一种半导体管保护电路及方法

说明书

本发明属于半导体电路领域，具体涉及一种半导体管保护电路及方法。本发明包括电源电压、负载电路、稳压电路和半导体管；所述电源电压和所述负载电路的高电势端连接，所述负载单元的低电势端和所述稳压电路的高电势端连接，所述稳压电路的低电势端接地，所述半导体管的高电势端和所述稳压电路的高电势端连接，所述半导体管的低电势端接地。本发明使用稳压二极管引流，在继电器和半导体管中间加入晶体管做缓冲，增加了半导体管的抗压能力，有效地保护了半导体管不被击穿。

技术领域

本发明属于保护电路领域，尤其涉及一种半导体管保护电路及方法。

背景技术

MOS(Metal Oxide Semiconductor)管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

MOS电路为单极型集成电路，又称为MOS集成电路，它采用金属－氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor,缩写为MOSFET)制造，其主要特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低。

MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。

近年来，半导体器件发展迅猛，MOS管因开关频率高、无机械损耗等特点成为电力设备中主要的电流控制元件，例如在开关放大器中，MOS管是控制其电流的关键器件。但是，MOS管缺乏电路过载能力，MOS管极易被击穿。目前，解决该问题的方法通常为给MOS管增加保护电路。

申请号为CN201710787460.7的国内发明专利提出了一种MOS管过流保护电路，其具体提出了利用MOS管发生过流时其导通电压VDS将产生压降这一特性，判断MOS管是否发生过流，其具体判断过程为，在接通MOS管后，若MOS管的导通电压VDS稳定，则判定MOS管正常运行中；若MOS管的导通电压VDS升高，则判定MOS管发生过流故障。与传统的MOS管过流保护电路相比，本申请的MOS管过流保护电路利用MOS管发生过流时其导通电压VDS将产生压降这一特性，避免了高成本、高功耗电流采样器等装置的使用，大幅降低了保护电路的功耗与成本。但该发明的电路在保护电路的时候用MOS管的耗损了换取了电路的稳定。

发明内容

本发明针对现有技术存在的问题，提出了一种半导体管保护电路及方法。

本发明是通过以下技术方案得以实现的：

一种半导体管保护电路，包括电源电压、负载电路、稳压电路和半导体管；

所述电源电压和所述负载电路的高电势端连接；

所述负载单元的低电势端和所述稳压电路的高电势端连接，所述稳压电路的低电势端接地；

所述半导体管的高电势端和所述稳压电路的高电势端连接，所述半导体管的低电势端接地。

作为本技术方案的优选，所述稳压电路包括稳压二极管、继电器；

所述稳压二极管和所述继电器并联；

所述稳压二极管的阴极与所述负载单元的低电势端连接，所述稳压二极管的阳极接地。

作为本技术方案的优选，所述稳压电路包括稳压单元、继电器；

所述稳压单元和所述继电器并联；

所述稳压单元的高电势与所述负载单元的低电势端连接，所述稳压单元的低电势接地；

所述稳压单元包括至少两个稳压子单元，相连两个所述稳压子单元串联连接，所述稳压子单元包括一个稳压二极管和一个均压电阻。