[发明专利]阵列基板、显示面板及显示器在审
| 申请号： | 201810523886.6 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108761939A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 韩约白;成露 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1345 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 电容容量 显示面板 阵列基板 金属层 显示器 增设 第二金属层 第一金属层 窄边框设计 多晶硅层 绝缘 申请 串联 | ||
1.一种阵列基板，其GOA电路包括依次叠设的多晶硅层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层以及第二金属层，所述多晶硅层和第一金属层至少部分绝缘重叠以形成电容，所述第二金属层和第一金属层至少部分绝缘重叠以形成电容，其特征在于，所述GOA电路还包括与所述第一金属层接触的至少一金属层，所述至少一金属层与所述第二金属层和/或多晶硅层至少部分绝缘重叠以形成电容。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述至少一金属层包括第三金属层，所述第三金属层与所述阵列基板的公共电极层或像素电极层同步形成。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第三金属层与所述像素电极层同步形成，所述第三金属层和所述第二金属层之间通过第三绝缘层绝缘重叠，所述第三绝缘层为所述阵列基板的钝化层，所述钝化层位于所述公共电极层和像素电极层之间。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第三金属层与所述像素电极层同步形成，所述第三金属层和所述第二金属层之间通过第三绝缘层绝缘重叠，所述第三绝缘层包括所述阵列基板的钝化层和平坦层，所述钝化层位于所述公共电极层和像素电极层之间，所述平坦层位于所述公共电极层和第三金属层之间。
5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板设有贯穿所述第三绝缘层和第二绝缘层的过孔，所述第三金属层通过所述过孔与所述第一金属层连接。
6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述至少一金属层包括叠设于所述多晶硅层下方的第四金属层，所述第四金属层与所述阵列基板的遮光金属层同步形成，所述遮光金属层位于所述阵列基板的多晶硅半导体层的正下方。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第四金属层和所述多晶硅层之间通过第四绝缘层绝缘重叠，所述第四绝缘层为所述阵列基板的缓冲层，所述缓冲层位于所述遮光金属层和所述阵列基板的多晶硅半导体层之间。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板设有贯穿所述第一绝缘层和第四绝缘层的过孔，所述第一金属层通过所述过孔与所述第四金属层连接。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1-8任意一项所述的阵列基板。
10.一种显示器，其特征在于，所述显示器包括如权利要求9所述的显示面板。
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