[发明专利]阵列基板、显示面板及显示器在审
申请号: | 201810523886.6 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN108761939A | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 韩约白;成露 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1345 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 电容容量 显示面板 阵列基板 金属层 显示器 增设 第二金属层 第一金属层 窄边框设计 多晶硅层 绝缘 申请 串联 | ||
本申请公开一种阵列基板、显示面板及显示器。本申请增设至少一金属层,该增设的金属层与现有GOA电路的第一金属层接触,并且与现有GOA电路的第二金属层和/或多晶硅层至少部分绝缘重叠以形成电容,相当于增加了至少一个串联的电容,GOA电路的电容容量得以增大,而电容面积仍为现有电容所占的面积,即,在不增加电容面积的同时增大电容容量,换言之,在不减少电容容量的情况下减少电容面积,从而有利于LCD的窄边框设计。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言涉及一种阵列基板、显示面板及显示器。
背景技术
在显示面板,如液晶显示面板中,GOA(Gate Driver On Array,阵列基板行驱动)电路通常由多个移位寄存器组成,每一移位寄存器连接一条扫描线,利用上一行扫描线输出的高电平信号对移位寄存器中的电容充电,使得本行的扫描线输出高电平信号,再利用下一行扫描线输出的高电平信号实现复位。其中,电容的容量必须足够大才能稳定工作以确保本行的扫描线输出高电平信号。现有设计的GOA电路的电容容量需要进一步提升。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示器,增大了电容容量。
本申请提供的一种阵列基板,其GOA电路包括依次叠设的多晶硅层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层以及第二金属层,所述多晶硅层和第一金属层至少部分绝缘重叠以形成电容,所述第二金属层和第一金属层至少部分绝缘重叠以形成电容,所述GOA电路还包括与所述第一金属层接触的至少一金属层,所述至少一金属层与所述第二金属层和/或多晶硅层至少部分绝缘重叠以形成电容。
本申请提供的一种显示面板,包括上述阵列基板。
本申请提供的一种显示器,包括上述显示面板。
有益效果:本申请增设至少一金属层,该增设的金属层与现有GOA电路的第一金属层接触,并且与现有GOA电路的第二金属层和/或多晶硅层至少部分绝缘重叠以形成电容,相当于增加了至少一个串联的电容,GOA电路最终的电容容量增大。
附图说明
图1是本申请一实施例的显示面板的结构剖视图;
图2是图1所示液晶显示面板一实施例的像素结构示意图;
图3是本申请第一实施例的GOA电路的结构示意图;
图4是现有技术一实施例的GOA电路的结构示意图;
图5是本申请第二实施例的GOA电路的结构示意图;
图6是现有技术另一实施例的GOA电路的结构示意图;
图7是本申请一实施例的显示器的结构剖视图。
具体实施方式
本申请的主要目的是:增设至少一金属层,该增设的至少一金属层与现有GOA电路的第一金属层接触,并且与现有GOA电路的第二金属层和/或多晶硅层至少部分绝缘重叠以形成电容,相当于在现有电容的基础上增加了至少一个与现有电容串联的电容,GOA电路最终的电容容量得以增大,而其电容面积仍为其中一个电容所占的面积,即,在不增加电容面积的同时增大电容容量,换言之,在不减少电容容量的情况下减少电容面积,从而有利于LCD的窄边框设计。
下面结合附图对本申请的各个实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下,下述实施例及其技术特征可以相互组合。并且,全文所采用的方向性术语,例如“上”、“下”等,均是为了更好的描述各个实施例,并非用于限制本申请的保护范围。
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