[发明专利]一种发光二极管芯片的测试方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的测试方法，其特征在于，包括：

A、制备发光二极管芯片，包括步骤如下：

(1)在导电衬底上生长发光二极管芯片外延层；

(2)在步骤(1)制得的所述发光二极管芯片外延层上制备P电极；

(3)在制得的所述发光二极管芯片外延层表面制备若干个分割槽，所述分割槽贯通整个所述发光二极管芯片外延层延伸至所述导电衬底；

(4)对所述导电衬底减薄，并生长N电极；

B、测试发光二极管芯片。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的测试方法，其特征在于，所述步骤B，测试发光二极管芯片，包括步骤如下：

(5)将步骤A制得的所述发光二极管芯片放置在光电参数测试台上，使所述N电极朝下放置在光电参数测试台面上，整个N电极面充当所述发光二极管芯片的N电极连接测试电源负极；

(6)使用光电参数测试台的测试针扎测所述P电极，测量得到单个发光二极管芯片参数；

(7)将步骤(6)所述发光二极管芯片放置于劈裂机，使所述N电极朝下、所述P电极朝上，沿着分割槽进行劈裂。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的测试方法，其特征在于，所述导电衬底为GaAs衬底或Si衬底。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的测试方法，其特征在于，所述步骤(3)，在制得的所述发光二极管芯片外延层表面制备若干个分割槽，包括步骤如下：

a、在步骤(2)制得的发光二极管芯片外延层表面涂上正性光刻胶；

b、通过光刻在P电极四周按所需发光二极管芯片的尺寸制备分割槽图形；

c、使用腐蚀液腐蚀掉分割槽图形对应的发光二极管芯片外延层；

d、去除正性光刻胶，得到分割开的芯片，即得。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的测试方法，其特征在于，所述分割槽为长方体。

6.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的测试方法，其特征在于，所述分割槽的宽度为20-25μm。

7.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的测试方法，其特征在于，所述分割槽的宽度为23μm。

8.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的测试方法，其特征在于，所述步骤(3)中，在制得的所述发光二极管芯片外延层表面均匀制备若干个分割槽。

9.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片的测试方法，其特征在于，所述步骤(2)，包括步骤如下：在步骤(1)制得的发光二极管芯片外延层表面沉积金属层，通过光刻制得P电极。

10.根据权利要求9所述的一种发光二极管芯片的测试方法，其特征在于，所述金属层为Au膜。