[发明专利]一种发光二极管芯片的测试方法

说明书

本发明涉及一种发光二极管芯片的测试方法，包括：A、制备发光二极管芯片，包括步骤如下：(1)在导电衬底上生长发光二极管芯片外延层；发光二极管芯片外延层包括DBR、有源区、窗口层；(2)在步骤(1)制得的发光二极管芯片外延层上制备P电极；(3)在制得的发光二极管芯片外延层表面制备若干个分割槽，所述分割槽贯通整个所述发光二极管芯片外延层延伸至所述导电衬底；(4)对导电衬底减薄，并生长N电极；B、测试发光二极管芯片。本发明既保证GaAs基发光二极管芯片发光区的完整性，且测试结果与制备完成GaAs基发光二极管芯片结果完全一致，避免了因不一致造成的下游客户端质量问题，提升了芯片的品质。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管芯片的测试方法，属于光电子技术领域。

背景技术

LED作为21世纪的照明新光源，同样亮度下，半导体灯耗电仅为普通白炽灯的l/10，而寿命却可以延长100倍。LED器件是冷光源，光效高，工作电压低，耗电量小，体积小，可平面封装，易于开发轻薄型产品，结构坚固且寿命很长，光源本身不含汞、铅等有害物质，无红外和紫外污染，不会在生产和使用中产生对外界的污染。因此，半导体灯具有节能、环保、寿命长等特点，如同晶体管替代电子管一样，半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯，也将是大势所趋。无论从节约电能、降低温室气体排放的角度，还是从减少环境污染的角度，LED作为新型照明光源都具有替代传统照明光源的极大潜力。

上世纪50年代，在IBM Thomas J.Watson Research Center为代表的诸多知名研究机构的努力下，以GaAs为代表的III–V族半导体在半导体发光领域迅速崛起。之后随着金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术的出现，使得高质量的III–V族半导体的生长突破了技术壁垒，各种波长的半导体发光二极管器件相继涌入市场。由于半导体发光二极管相对于目前的发光器件具有效率高、寿命长、抗强力学冲击等特质，在世界范围内被看作新一代照明器件。

现阶段GaAs基发光二极管芯片测试采用先切割透外延层至衬底，再测试，因芯片尺寸较小，如果全部切割的话测试过程中容易造成碎片，一般采用抽测的方式，后续再切割成芯片。此方法存在一个问题，因先切割外延层至衬底其切割道的宽度相比全部切割成芯片后的切割道的宽度要窄，且GaAs基发光二极管芯片使用金刚刀切割容易造成芯片发光区的损伤，造成此种方法的测试结果与实际芯片的结果有一部分不一致，而芯片生产厂家无法在切割成单颗GaAs基发光二极管芯片后再进行测试，导致到下游封装厂家容易出现亮度不一致等问题。

发明内容

针对现有发光二极管芯片测试方法存在的不足，本发明提供一种流程简便、能提供更确认的参数给下游客户的发光二极管芯片的测试方法。

本发明的技术方案为：

一种发光二极管芯片的测试方法，包括：

A、制备发光二极管芯片，包括步骤如下：

(1)在导电衬底上生长发光二极管芯片外延层；发光二极管芯片外延层包括DBR、有源区、窗口层；

(2)在步骤(1)制得的所述发光二极管芯片外延层上制备P电极；

(3)在制得的所述发光二极管芯片外延层表面制备若干个分割槽，所述分割槽贯通整个所述发光二极管芯片外延层延伸至所述导电衬底；

(4)对所述导电衬底减薄，并生长N电极；

B、测试发光二极管芯片。

根据本发明优选的，所述步骤B，测试发光二极管芯片，包括步骤如下：

(5)将步骤A制得的所述发光二极管芯片放置在光电参数测试台上，使所述N电极朝下放置在光电参数测试台面上，整个N电极面充当所述发光二极管芯片的N电极连接测试电源负极；