[发明专利]线路基板、其叠层式半导体组体及其制作方法在审
申请号: | 201810525996.6 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN110047797A | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 林文强;王家忠 | 申请(专利权)人: | 钰桥半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/538 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 喻颖 |
地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 凹穴 金属引线 树脂化合物 线路基板 环绕 半导体元件 接合 重布层 叠层 路由 填满 增层 组体 沉积 半导体 电路 垂直 制作 | ||
1.一种线路基板的制作方法,其包括下述步骤:
提供一金属架、一金属块及多条金属引线,其中该金属块位于该金属架内,而所述金属引线一体连接至该金属架,且每一所述金属引线具有一内端,该内端是朝内背向该金属架,并朝向该金属块;
提供一树脂化合物,其填充该金属架内的剩余空间,且该树脂化合物的顶面与所述金属引线及该金属块的顶侧呈共平面;以及
移除该金属块的至少一选定部位,以形成一凹穴,其中该凹穴的入口位于该树脂化合物的该顶面处。
2.如权利要求1所述的制作方法,其还包括一步骤:将该金属架从所述金属引线分离。
3.如权利要求2所述的制作方法,其中,分离该金属架的该步骤包括化学刻蚀或机械裁切或切割。
4.如权利要求1所述的制作方法,其中,移除该金属块的至少一选定部位的该步骤包括保留该金属块的一剩余部位,以作为一金属垫,且该金属垫邻接于该凹穴的底部。
5.如权利要求4所述的制作方法,其中,该金属垫的底面与该树脂化合物的底面及所述金属引线的底侧呈共平面。
6.如权利要求4所述的制作方法,其中,移除该金属块的至少一选定部位的该步骤还包括保留该金属块的一额外剩余部位,且该额外剩余部位是位于该树脂化合物的内侧壁表面上。
7.如权利要求1所述的制作方法,其还包括一步骤:形成一顶部重布层于该树脂化合物的该顶面上,且该顶部重布层电性耦接至所述些金属引线。
8.如权利要求7所述的制作方法,还包括一步骤:于提供该树脂化合物前,设置一电性元件于该金属架内,其中该顶部重布层更电性耦接该电性元件至所述金属引线中的至少之一。
9.如权利要求1所述的制作方法,还包括一步骤:形成一底部增层电路于该树脂化合物的底面,且该底部增层电路电性耦接至所述金属引线。
10.如权利要求9所述的制作方法,其中,移除该金属块的至少一选定部位的该步骤包括保留该金属块的一剩余部位,以作为一金属垫,且该金属垫邻接于该凹穴的底部,而该底部增层电路电性耦接并热性导通至该金属垫。
11.如权利要求1所述的制作方法,其中,该金属块的厚度小于所述金属引线的厚度,且提供该树脂化合物的该步骤包括提供一树脂垫于该金属块的底侧上,且该树脂垫与该树脂化合物一体成型。
12.一种叠层式半导体组体的制作方法,其包括下述步骤:
通过如权利要求1至3及7至9中任一项所述的制作方法制成一线路基板;以及
设置一半导体元件于该线路基板的该凹穴中,并通过接合线,将该半导体元件电性耦接至该线路基板。
13.如权利要求12所述的制作方法,其中,移除该金属块的至少一选定部位的该步骤包括:保留该金属块的一剩余部位,以作为一金属垫,且该金属垫邻接于该凹穴的底部,以及保留该金属块的一额外剩余部位,且该额外剩余部位是位于该树脂化合物的内侧壁表面上,而将该半导体元件电性耦接至该线路板的该步骤包括:通过至少一所述接合线,将该半导体元件电性耦接至该金属块的该额外剩余部位。
14.如权利要求12所述的制作方法,其中(i)该半导体元件包括一路由电路、一第一芯片及一第二芯片,(ii)该第一芯片电性耦接至该路由电路的顶面,(iii)该第二芯片电性耦接至该路由电路的底面,且(iv)所述接合线电性耦接该路由电路至该线路基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造