[发明专利]线路基板、其叠层式半导体组体及其制作方法在审
申请号: | 201810525996.6 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN110047797A | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 林文强;王家忠 | 申请(专利权)人: | 钰桥半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/538 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 喻颖 |
地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 凹穴 金属引线 树脂化合物 线路基板 环绕 半导体元件 接合 重布层 叠层 路由 填满 增层 组体 沉积 半导体 电路 垂直 制作 | ||
本发明的线路基板包含有一凹穴及环绕该凹穴的多条金属引线。所述金属引线与树脂化合物接合,并可对设置于凹穴中的半导体元件提供水平及垂直路由。该树脂化合物会填满金属引线间的空间,并且环绕该凹穴,以提供一介电平台,使重布层或增层电路可选择性地沉积于上。
技术领域
本发明是关于一种线路基板、其半导体组体及其制作方法,尤指一种 设有一系列金属引线环绕凹穴的线路基板以及使用该线路基板的叠层式 半导体组体及其制作方法,其中所述金属引线可作为垂直互连通道。
背景技术
多媒体装置的市场趋势是倾向于更迅速且更薄型化的设计需求。其中 一种方法是以叠层方式,将多个元件组装于线路基板上,俾使电性效能可 获得改善并更趋于小型化。美国专利案号7,894,203即是基于此目的而揭露 一种具有凹穴的线路基板。此基板是通过黏着剂将两个分开的部件相互接 合而成,并通过导电材料(如焊料或导电凸块)于两部件间形成电性连接。 由于该基板为叠层式结构,故两部件间热膨胀系数不匹配或弯翘问题将导 致错位或焊料裂损,因而造成此类叠层结构于实际应用时有可靠度不佳的 缺点。或者,如美国专利案号7,989,950所述,可于基板上接置焊球,以形 成垂直连接通道,且可通过封埋制程来密封垂直连接通道,以形成凹穴。 此外,于封埋制程中可能发生焊料变形及裂损现象,或者热循环后于密封 材与基板间出现剥离现象,因而导致元件突然失效及无法连接到I/O等问 题。
为了上述理由及以下所述的其他理由,目前亟需发展一种具有一体成 型金属引线的线路基板,其中金属引线从线路基板的底部延伸至底部,以 用于三维叠层的半导体组体。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种线路基板,其凹穴可通过刻蚀预定位置 处的牺牲金属块而形成。由于树脂化合物会机械性地支撑并完全环绕牺牲 金属块,故一旦移除金属的一选定部位,便可形成具有预定尺寸及深度且 被树脂化合物环绕的凹穴,进而可设置元件于凹穴中,且最不会使最后的 组体太厚。
本发明的另一目的在于提供一种线路基板,其垂直叠层通道是通过提 供多条金属引线环绕凹穴而形成。因此,设置于凹穴中的元件可通过金属 引线而与另一元件叠层,而无须其他外部互连件。
本发明的又一目的在于提供一种线路基板,其所有组成件皆通过树脂 化合物相互接合,因而可获得稳定的机械结构,以确保热循环过程不会发 生焊料裂损、弯翘或错位等情况。
本发明的再一目的在于提供一种线路基板,其选择性地具有一路由电 路,以使电性信号可从位于边缘处的引线重新布线至指定位置处,且可大 幅改善半导体组体的电特性。
依据上述及其他目的,本发明提供一种线路基板的制作方法,其包括 下述步骤:提供一金属架、一金属块及多条金属引线,其中该金属块位于 该金属架内,而所述金属引线一体连接至该金属架,且每一所述金属引线 具有一内端,该内端是朝内背向该金属架,并朝向该金属块;提供一树脂 化合物,其填充该金属架内的剩余空间,且该树脂化合物的顶面与所述金 属引线及该金属块的顶侧呈实质上共平面;以及移除该金属块的至少一选定部位,以形成一凹穴,其中该凹穴的入口位于该树脂化合物的该顶面处。 该线路基板的制作方法更可选择性地包括下述步骤:形成一顶部重布层于 该树脂化合物的该顶面,且该顶部重布层电性耦接至所述金属引线;以及 /或者形成一底部增层电路于该树脂化合物的底面,且该底部增层电路电性 耦接至所述金属引线。此外,本发明亦提供一种叠层式半导体组体的制作 方法,其包括下述步骤:通过上述制法提供上述线路基板,以及将一半导 体元件设置于该线路基板的该凹穴中,并通过接合线,以将该半导体元件 电性耦接至该线路基板。
除非特别描述或必须依序发生的步骤,上述步骤的顺序并无限制于以 上所列,且可根据所需设计而变化或重新安排。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造