[发明专利]显示基板及其制作方法、检测方法在审
申请号: | 201810527434.5 | 申请日: | 2018-05-23 |
公开(公告)号: | CN108598095A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 贾东旺;孟佳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/66;G01R31/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 刘伟;赵艳丽 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 导电图案 显示基板 信号线 导电线段 检测 所在平面 钝化层 正投影 断裂位置 覆盖信号 判定信号 断裂的 制作 断裂 背离 | ||
1.一种显示基板,包括基底,所述基底包括显示区域和位于所述显示区域外围的非显示区域,所述非显示区域包括走线区域,所述走线区域包括设置在所述基底上的多条信号线,其特征在于,所述显示基板还包括覆盖所述多条信号线的钝化层,以及至少一个导电图案,所述至少一个导电图案设置在所述钝化层的背离所述信号线的表面上,每一所述导电图案包括至少一条导电线段,每一条信号线与一条导电线段的位置对应,且每一条信号线在所述显示基板所在平面上的正投影位于对应的导电线段在所述显示基板所在平面上的正投影中。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述信号线和导电线段的位置一一对应。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述信号线和对应的导电线段平行设置。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述导电图案包括多条导电线段。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,每一所述导电图案的多条导电线段平行设置,且每一所述导电图案的多条导电线段的中心位于同一条直线上,所述多条导电线段通过连接线段连接首尾。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述导电图案仅包括一条导电线段。
7.根据权利要求1-6任一项所述的显示基板,其特征在于,所述走线区域包括多个子区域,每一子区域均设置有所述导电图案。
8.根据权利要求1-6任一项所述的显示基板,其特征在于,所述非显示区域还包括PAD区域,每一所述导电图案的两端位于PAD区域,用于与外部探针接触连接。
9.根据权利要求1-6任一项所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板的显示区域包括像素电极,所述导电图案与所述像素电极为同层结构。
10.根据权利要求1-6任一项所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板的显示区域包括公共电极,所述导电图案与所述公共电极为同层结构。
11.一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括基底,所述基底包括显示区域和位于所述显示区域外围的非显示区域,所述非显示区域包括走线区域,所述制作方法包括:在所述基底的走线区域形成多条信号线,其特征在于,所述制作方法还包括:
形成覆盖所述多条信号线的钝化层;
在所述钝化层的背离所述信号线的表面上形成至少一个导电图案,每一导电图案包括至少一条导电线段,每一条信号线与一条导电线段的位置对应,且每一条信号线在所述显示基板所在平面上的正投影位于对应的导电线段在所述显示基板所在平面上的正投影中。
12.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:
在所述钝化层的背离所述信号线的表面上形成透明导电薄膜,对所述透明导电薄膜进行构图工艺,形成所述导电图案,以及位于显示区域的像素电极。
13.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:
在所述钝化层的背离所述信号线的表面上形成透明导电薄膜,对所述透明导电薄膜进行构图工艺,形成所述导电图案,以及位于显示区域的公共电极。
14.一种对权利要求1-10任一项所述的显示基板进行检测的方法,包括:
对每一导电图案的两端施加电压,获取所述导电图案的电阻值,当所述导电图案的电阻值与预设的电阻值的差值小于设定值时,判定与所述导电图案的所有导电线段位置对应的信号线完好;当所述导电图案的电阻值与预设的电阻值的差值大于设定值,且所述导电图案的电阻值大于预设的电阻值时,获取所述导电图案的发生断裂的导电线段,检测与发生断裂的导电线段位置对应的信号线是否发生损坏。
15.根据权利要求14所述的检测方法,其特征在于,所述非显示区域还包括PAD区域,每一导电图案的两端位于PAD区域;
具体为将两个探针分别与每一导电图案的两端接触,以对每一导电图案的两端施加电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810527434.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的