[发明专利]金属线栅偏光片的制作方法在审
申请号: | 201810528219.7 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108776364A | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 宋德伟;颜源;李立胜 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 非金属薄膜 玻璃基板 非金属线 金属薄膜 光阻图案层 金属线栅 金属线 偏光片 沉积 沉积金属薄膜 光阻材料层 间隔设置 空气接触 纳米压印 湿法刻蚀 材料层 刻蚀 掩膜 去除 制作 剥离 腐蚀 概率 | ||
1.一种金属线栅偏光片的制作方法,其特征在于,包括:
提供一玻璃基板;
在所述玻璃基板上沉积第一非金属薄膜;
在所述第一非金属薄膜上沉积光阻材料层;
对所述光阻材料层进行纳米压印得到光阻图案层,所述光阻图案层包括第一图案部分以及设于所述第一图案部分之间的第二图案部分,所述第一图案部分具有第一厚度,所述第二图案部分具有第二厚度,所述第一厚度大于所述第二厚度;
去除所述第二图案部分以露出所述第一非金属薄膜,相邻两个所述第一图案部分之间形成第一间隙;
以所述第一图案部分为掩膜湿法刻蚀所述第一非金属薄膜以在所述玻璃基板上形成数条间隔设置的非金属线,数条所述非金属线之间形成第二间隙,所述第一间隙与所述第二间隙的宽度相等;
在所述第一图案部分与所述玻璃基板上沉积金属薄膜;
剥离位于所述非金属线上的所述第一图案部分与所述金属薄膜以得到位于数条所述非金属线之间的金属线。
2.根据权利要求1所述的金属线栅偏光片的制作方法,其特征在于,所述剥离位于所述非金属线上的所述第一图案部分与所述金属薄膜以得到位于数条所述非金属线之间的金属线的步骤之后还包括在所述金属线与所述非金属线上沉积第二非金属薄膜。
3.根据权利要求2所述的金属线栅偏光片的制作方法,其特征在于,沉积所述第一非金属薄膜与所述第二非金属薄膜的方法为化学气相沉积。
4.根据权利要求1所述的金属线栅偏光片的制作方法,其特征在于,沉积所述金属薄膜的方法为物理气相沉积。
5.根据权利要求2所述的金属线栅偏光片的制作方法,其特征在于,所述第一非金属薄膜与所述第二非金属膜均为透明薄膜,所述第一非金属薄膜与所述第二非金属膜的材料包括一氧化硅、二氧化硅或氮化硅中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的金属线栅偏光片的制作方法,其特征在于,所述第一非金属薄膜的厚度为100nm-500nm。
7.根据权利要求1所述的金属线栅偏光片的制作方法,其特征在于,所述第一图案部分的厚度为100-200nm;所述第二图案部分的厚度为10-50nm。
8.根据权利要求1所述的金属线栅偏光片的制作方法,其特征在于,所述第一图案部分与所述第一间隙的宽度相等。
9.根据权利要求1所述的金属线栅偏光片的制作方法,其特征在于,所述金属薄膜的材料包括铝、银、铜或铬的一种或多种。
10.根据权利要求4所述的金属线栅偏光片的制作方法,其特征在于,所述物理气相沉积的方法包括热蒸镀。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810528219.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种防蓝光偏光片的制备方法
- 下一篇:导光板结构