[发明专利]泄漏电流测量电路、集成电路及其系统有效
申请号: | 201810535491.8 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN109001582B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 吴佶根;慎连重;郑多莱 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G01R31/52 | 分类号: | G01R31/52 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘培培;黄隶凡 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 泄漏 电流 测量 电路 集成电路 及其 系统 | ||
1.一种泄漏电流测量电路,其特征在于,包括:
泄漏产生电路,被配置成从起始时间点产生泄漏电流,并基于所述泄漏电流产生泄漏电压信号,所述泄漏电压信号具有从初始电压发生变化的电压电平;以及
检测电路,被配置成产生具有激活时间的检测信号,所述检测信号是从所述起始时间点到检测时间点产生,且所述检测时间点对应于所述泄漏电压信号的所述电压电平达到目标电压时,
其中在所述起始时间点之前及所述检测时间点之后,所述检测信号是第一逻辑电平,并且在所述起始时间点与所述检测时间点之间,所述检测信号是与所述第一逻辑电平不同的第二逻辑电平。
2.根据权利要求1所述的泄漏电流测量电路,其特征在于,所述检测信号的所述激活时间随着所述泄漏电流的增大而减小。
3.根据权利要求1所述的泄漏电流测量电路,其特征在于,所述泄漏电流测量电路还被配置成选择性地以第一操作模式及第二操作模式进行操作,所述第一操作模式用于测量N型半导体元件的所述泄漏电流,所述第二操作模式用于测量P型半导体元件的所述泄漏电流。
4.根据权利要求3所述的泄漏电流测量电路,其特征在于,所述泄漏产生电路还被配置成:
在所述第一操作模式中,将所述泄漏电压信号产生成使得所述泄漏电压信号从所述初始电压减小到所述目标电压并接着减小到地电压,且
在所述第二操作模式中,将所述泄漏电压信号产生成使得所述泄漏电压信号从所述初始电压增大到所述目标电压并接着增大到供电电压。
5.根据权利要求3所述的泄漏电流测量电路,其特征在于,所述泄漏产生电路还被配置成:
在所述第一操作模式中以供电电压对跟踪节点进行充电,并从所述起始时间点产生流过所述N型半导体元件的所述泄漏电流以对所述跟踪节点进行放电,所述泄漏电压信号是在所述跟踪节点处提供,以及
在所述第二操作模式中,以地电压对所述跟踪节点进行放电,并从所述起始时间点产生流过所述P型半导体元件的所述泄漏电流以对所述跟踪节点进行充电。
6.根据权利要求1所述的泄漏电流测量电路,其特征在于,所述泄漏产生电路包括:
N型半导体元件,连接在地电压与跟踪节点之间,所述N型半导体元件被配置成基于选择信号进行操作,且所述泄漏电压信号是在所述跟踪节点处提供;
N型晶体管,与所述N型半导体元件串联连接在所述地电压与所述跟踪节点之间,所述N型晶体管被配置成基于使能信号进行操作;
P型半导体元件,连接在供电电压与所述跟踪节点之间,所述P型半导体元件被配置成基于所述选择信号进行操作;以及
P型晶体管,与所述P型半导体元件串联连接在所述供电电压与所述跟踪节点之间,所述P型晶体管被配置成基于所述使能信号进行操作。
7.根据权利要求6所述的泄漏电流测量电路,其特征在于,所述起始时间点对应于所述使能信号的跃迁时间点,且
其中所述泄漏产生电路还被配置成基于所述选择信号的逻辑电平来选择性地产生流过所述N型半导体元件及所述P型半导体元件的所述泄漏电流。
8.根据权利要求1所述的泄漏电流测量电路,其特征在于,所述泄漏产生电路包括多个被测器件,所述多个被测器件共同连接到跟踪节点,所述跟踪节点提供所述泄漏电压信号,所述多个被测器件中的每一个具有不同的泄漏特性。
9.根据权利要求8所述的泄漏电流测量电路,其特征在于,还包括解码器,所述解码器被配置成基于选择码来产生多个经解码位信号并将所述多个经解码位信号分别提供到所述多个被测器件,
其中所述泄漏产生电路还被配置成基于所述多个经解码位信号从所述多个被测器件中选择被测器件,并使用所选择的所述被测器件来产生所述泄漏电压信号。
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